[发明专利]包括天线的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体芯片；

位于半导体芯片的第一侧上的再分布层，所述再分布层电耦合到半导体芯片；

介电层；以及

位于介电层上的天线；

其中，介电层位于天线与半导体芯片之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

侧向包围半导体芯片的包封材料。

3.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：

电耦合到再分布层的多个焊料球。

4.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：

位于介电层与半导体芯片之间的导电层。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，导电层电耦合到再分布层。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，天线电耦合到半导体芯片。

7.如权利要求2所述的半导体装置，其中，天线电磁耦合到半导体芯片。

8.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述天线包括：偶极天线、折叠偶极天线、环形天线、矩形环天线、贴片天线或共面贴片天线。

9.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

侧向包围半导体芯片的包封材料；

其中，再分布层位于半导体芯片的第一侧和包封材料上，以及

其中，介电层位于半导体芯片的与第一侧相反的第二侧上。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，所述半导体芯片通过再分布层、穿过包封材料的第一过孔和穿过介电层的第二过孔电耦合到天线。

11.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

位于介电层与半导体芯片之间的导电层。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，半导体芯片通过导电层中的凹槽电磁耦合到天线。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其中，导电层通过穿过包封材料的过孔电耦合到再分布层。

14.如权利要求11所述的半导体装置，其中，导电层直接电耦合到焊料球，所述焊料球的直径大于半导体芯片的厚度与再分布层的厚度之和。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其中，介电层位于半导体芯片的与第一侧相反的第二侧上，所述半导体装置还包括：

位于介电层与半导体芯片之间的导电层，其中，半导体芯片通过再分布层和穿过介电层的过孔连接结构电耦合到天线。

16.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

侧向包围半导体芯片的包封材料；

其中，再分布层位于半导体芯片的第一侧和包封材料上，以及

其中，再分布层位于介电层与半导体芯片之间。

17.如权利要求16所述的半导体装置，其中，所述再分布层包括导电层。

18.如权利要求17所述的半导体装置，其中，半导体芯片通过导电层中的凹槽电磁耦合到天线。

19.如权利要求16所述的半导体装置，还包括：

位于半导体芯片的与第一侧相反的第二侧上的散热器；以及

耦合到所述散热器的焊料球。

20.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述天线包括：偶极天线、折叠偶极天线、环形天线、矩形环天线、贴片天线或共面贴片天线。

21.如权利要求1所述的半导体装置，其中，半导体芯片邻近耦合到天线。

22.一种用于制作半导体装置的方法，所述方法包括：

制作嵌入式晶片级球栅阵列封装体，所述嵌入式晶片级球栅阵列封装体包括由包封材料侧向包围的射频半导体芯片和位于半导体芯片和包封材料上的再分布层；

制作载体，所述载体包括介电材料、位于介电材料的第一侧上的天线以及位于介电材料的与第一侧相反的第二侧上的导电层；以及

将嵌入式晶片级球栅阵列封装体附连到载体上，使得导电层位于介电材料与半导体芯片之间。

23.如权利要求22所述的方法，其中，将嵌入式晶片级球栅阵列封装体附连到载体上包括：经由芯片附连箔将嵌入式晶片级球栅阵列封装体附连到载体上。