[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层内具有露出部分所述基底的开口，所述开口的底部和侧壁形成有叠层结构，所述叠层结构还位于所述层间介质层的顶部；

至少去除位于所述层间介质层顶部及所述开口部分侧壁上的叠层结构；

至少去除部分所述叠层结构后，对所述基底进行退火处理；

退火处理后，在所述开口的底部和侧壁上形成功函数层，所述功函数层覆盖剩余的叠层结构的顶部；

在所述开口中填充金属层，所述金属层还覆盖所述功函数层，所述开口中剩余的叠层结构和金属层用于构成栅极结构形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述开口侧壁上部分所述叠层结构的步骤中，被去除的开口侧壁上所述叠层结构的高度占所述开口深度的比例小于或等于1/3。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述层间介质层顶部以及所述开口侧壁上部分所述叠层结构的步骤包括：在所述开口中形成填充层，所述填充层还覆盖所述叠层结构的顶部；

采用第一去除工艺，去除位于所述叠层结构顶部的填充层，露出所述叠层结构的顶部；

采用第二去除工艺，去除所述开口中部分厚度的所述填充层；

在所述第二去除工艺后，去除高于剩余所述填充层顶部的叠层结构；

去除高于剩余所述填充层顶部的叠层结构后，去除剩余所述填充层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一去除工艺为干法刻蚀工艺或化学机械研磨工艺。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二去除工艺为干法刻蚀工艺。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料为ODL材料、BARC材料、DUO材料或光刻胶。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，至少去除位于所述层间介质层顶部的叠层结构的步骤中，所采用的工艺为干法刻蚀工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述基底进行退火处理的步骤中，所述退火处理的步骤包括：对所述基底进行尖峰退火处理；或者，对所述基底进行激光退火处理；或者，对所述基底进行尖峰退火处理，并在尖峰退火处理后，对所述基底进行激光退火处理。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述尖峰退火处理的参数包括：退火温度为800℃至1000℃，压强为一个标准大气压。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述激光退火处理的参数包括：退火温度为950℃至1150℃，压强为一个标准大气压。