[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括：隔离区以及分别位于所述隔离区两侧的第一器件区和第二器件区；

在所述隔离区衬底中形成隔离结构；

在所述第一器件区衬底中形成第一掺杂区，所述第一掺杂区距离所述隔离区最远的边为第一边；

在所述第二器件区衬底中形成第二掺杂区，所述第二掺杂区距离所述隔离区最远的边为第二边；

在所述隔离结构之间的衬底中形成电连接掺杂层，所述电连接掺杂层连接所述第一掺杂区与第二掺杂区；

形成与所述电连接掺杂层电连接的插塞，所述插塞到所述第一边和第二边的距离不相等。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掺杂区和第二掺杂区之前，还包括：形成横跨所述隔离区隔离结构、第一器件区衬底和第二器件区衬底的第一栅极结构，以及横跨所述隔离区隔离结构、第一器件区衬底和第二器件区衬底的第二栅极结构，所述第一掺杂区位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间的衬底中，所述第二掺杂区位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间的衬底中。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掺杂区、第二掺杂区和所述电连接掺杂层的步骤包括：形成所述第一栅极结构和第二栅极结构之后，对所述第一器件区、第二器件区和隔离区衬底进行离子注入。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述插塞的步骤包括：形成覆盖所述第一掺杂区、第二掺杂区、隔离结构和电连接掺杂层的介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔贯穿所述介质层，所述接触孔到所述第一边和第二边的距离不相等；在所述介质层中形成所述插塞。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的步骤包括：对所述衬底进行图形化，在所述隔离区衬底中形成第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，所述第一隔离沟槽与所述第二隔离沟槽之间的衬底两端分别连接所述第一器件区和第二器件区衬底；在所述第一隔离沟槽和第二隔离沟槽中形成隔离结构。

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括：隔离区以及分别位于所述隔离区两侧的第一器件区和第二器件区；

位于所述第一器件区衬底中的第一掺杂区，所述第一掺杂区距离所述隔离区最远的边为第一边；

位于所述第二器件区衬底中的第二掺杂区，所述第二掺杂区距离所述隔离区最远的边为第二边；

位于所述隔离区衬底中的隔离结构，所述隔离结构之间的衬底中具有电连接掺杂层，所述电连接掺杂层连接所述第一掺杂区与第二掺杂区；

与所述电连接掺杂层电连接的插塞，所述插塞到所述第一边和第二边的距离不相等。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：横跨所述隔离区隔离结构、第一器件区衬底和第二器件区衬底的第一栅极结构；横跨所述隔离区隔离结构、第一器件区衬底和第二器件区衬底的第二栅极结构，所述第一掺杂区位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间的衬底中，所述第二掺杂区位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间的衬底中。

8.如权利要求6或7所述的半导体结构，其特征在于，所述电连接掺杂层与所述隔离区的隔离结构接触的侧壁呈现具有凹陷的弧型，所述凹陷朝向所述电连接掺杂层。

9.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述插塞位于所述电连接掺杂层上；

或者所述插塞位于所述第一掺杂区或第二掺杂区上。

10.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂区和第二掺杂区为长条型，且所述第一掺杂区和第二掺杂区的延伸方向相同，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的间距为0.12μm～0.14μm；

所述插塞在沿垂直于所述第一掺杂区与所述电连接掺杂层接触面的方向上到所述电连接掺杂层中心的距离为87nm～107nm。