[发明专利]采用模制中介层的晶圆级封装

权利要求书

1.一种模制中介层，其特征在于，包含：

一第一模塑料层，具有一第一面及一相对在所述第一面的第二面；

一第一重分布层结构，设在所述第一面上；

一第二重分布层结构，设在所述第二面上；

多个金属插塞，埋设在所述第一模塑料层中，以电连接所述第一重分布层结构与所述第二重分布层结构；以及

一无源器件，埋设在所述第一模塑料层中，其中所述无源器件经由多个连接件电连接所述第一重分布层结构。

2.根据权利要求1所述的模制中介层，其特征在于，所述多个金属插塞包含一虚设金属插塞。

3.根据权利要求1所述的模制中介层，其特征在于，多个连接件内埋在所述第一模塑料层中。

4.根据权利要求1所述的模制中介层，其特征在于，所述第一重分布层结构包含至少一第一介电层及至少一第一金属层。

5.根据权利要求4所述的模制中介层，其特征在于，所述第一介电层包含一有机材料或一无机材料。

6.根据权利要求5所述的模制中介层，其特征在于，所述有机材料包含聚亚酰胺。

7.根据权利要求5所述的模制中介层，其特征在于，所述无机材料包含氮化硅或氧化硅。

8.根据权利要求4所述的模制中介层，其特征在于，所述第一介电层直接接触所述第一模塑料层。

9.根据权利要求1所述的模制中介层，其特征在于，所述第二重分布层结构包含一第二介电层及一第二金属层。

10.根据权利要求9所述的模制中介层，其特征在于，另包含一防焊层，设在所述第二重分布层结构上。

11.根据权利要求9所述的模制中介层，其特征在于，另包含多个锡球，设在所述第二重分布层结构上。

12.根据权利要求1所述的模制中介层，其特征在于，所述第一模塑料层的厚度大于所述无源器件的厚度。

13.一种半导体封装，包含：

一如权利要求1所述的模制中介层；以及

至少一半导体芯片，设置在所述模制中介层的所述第一重分布层结构上。

14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述半导体芯片被一第二模塑料层模封包覆。

15.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述第一模塑料层与所述第二模塑料层具有不同组成。

16.一种制造半导体封装的方法，包含：

提供一第一载板；

在所述第一载板上形成一第一重分布层结构；

在所述第一重分布层结构上形成一模板层；

在所述模板层中形成多个导孔；

分别在所述多个导孔中形成金属插塞；

移除所述模板层；

在所述第一重分布层结构上设置一无源器件；

将所述无源器件与所述些金属插塞模封包覆在一第一模塑料层中；

抛光所述第一模塑料层，显露出所述金属插塞；

在所述第一模塑料层上形成一第二重分布层结构；

在所述第二重分布层结构上形成多个锡球；以及

在所述第一重分布层结构上设置一半导体芯片。

17.根据权利要求16所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，另包含：

将所述半导体芯片以一第二模塑料层模封包覆。

18.根据权利要求17所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，另包含：

在一温度低于所述第一模塑料层的玻璃转化温度下，固化所述第二模塑料层。

19.根据权利要求17所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，在所述第一重分布层结构上设置所述半导体芯片之前，且在所述第二重分布层结构上形成所述多个锡球之后，所述方法另包含：

移除所述第一载板，如此形成一晶圆级模制中介层；以及

将所述晶圆级模制中介层贴合至一第二载板，其中所述多个锡球直接接触所述第二载板。

20.根据权利要求16所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述模板层是一光刻胶层。

21.根据权利要求17所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述无源器件包含一电容、一电阻或一电感。