[发明专利]嵌入式的无通孔桥接在审
申请号: | 201680069890.9 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN108369937A | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 贝尔格森·哈巴 | 申请(专利权)人: | 英帆萨斯公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑;贺亮 |
地址: | 美国加州95134*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 离散部件 基板 晶粒 表面构件 垂直导体 嵌入式 桥接 数组 通孔 嵌入式部件 导体 彼此连接 表面平面 传导线路 工作表面 规则间隔 接地导线 平行平面 桥接部件 接地 嵌入的 互连 电性 可用 竖管 传导 嵌入 三维 垂直 覆盖 | ||
1.一种装置,其包括:
第一基板,其用于微电子装置;
第二基板,其用于携带电性导体,所述第二基板被嵌入于所述第一基板中,以在所述第一基板的表面平面下提供嵌入式的第二基板和嵌入式的电性导体;以及
垂直导体,其在嵌入式的所述第二基板中,以经由嵌入式的所述电性导体将所述第一基板的表面上的所述微电子装置彼此互连。
2.如权利要求1所述的装置,其中嵌入式的所述电性导体包括高集中度的导线或由导体所组成的密集数组,其能够取代所述第一基板的表面上的非常细的高密度迹线。
3.如权利要求1所述的装置,其中嵌入式的所述第二基板相对于所述第一基板的所述表面平面而言呈90度嵌入有平行的嵌入式导体,以提供在所述第一基板的所述表面平面处可取用的所述垂直导体。
4.如权利要求1所述的装置,其中嵌入式的所述第二基板在所述第一基板的表面下提供高密度的讯号传导层,所述高密度的讯号传导层可经由所述垂直导体从所述第一基板的所述表面取用。
5.如权利要求4所述的装置,其中所述高密度的讯号传导层包括宽传导迹线或导线。
6.如权利要求1所述的装置,其中嵌入式的所述第二基板在所述第一基板的水平表面平面下提供由平行电力导体所组成的至少一个垂直平面。
7.如权利要求1所述的装置,其中嵌入式的所述第二基板在所述第一基板的水平表面平面下提供由平行接地导体所组成的至少一个垂直平面。
8.如权利要求1所述的装置,其中嵌入式的所述基板被嵌入于所述第一基板的浅层外层中。
9.如权利要求1所述的装置,其中嵌入式的所述基板被深入地嵌入或形成于所述第一基板的核心中,或是作为所述第一基板的所述核心的一部分。
10.一种方法,其包括:
嵌入包括由导体所组成的密集数组的第二基板于用于微电子装置的第一基板中;以及
藉由将所述微电子装置附接到嵌入式的所述第二基板中的垂直导体而互连所述微电子装置,所述垂直导体与嵌入式的所述第二基板中的由导体所组成的所述密集数组进行通信。
11.如权利要求10所述的方法,其中嵌入式的所述第二基板包括与嵌入式的所述第二基板整合的电性导体,以提供无通孔的嵌入式第二基板。
12.如权利要求10所述的方法,其进一步包括在制造期间嵌入所述第二基板在所述第一基板的核心内部或作为所述第一基板的所述核心的一部分。
13.如权利要求10所述的方法,其进一步包括以浅层的方式嵌入所述第二基板在所述第一基板的外层中。
14.如权利要求10所述的方法,其进一步包括施加黏着剂,以将包括由导体所组成的密集数组的嵌入式的所述第二基板接合至所述第一基板。
15.如权利要求10所述的方法,其进一步包括嵌入所述第二基板在所述第一基板中,以形成在所述第一基板的表面平面上方的所述第二基板的突出;以及
研磨或抛光所述第二基板和所述第一基板至与所述第一基板一致的平坦性,其中所述垂直导体在各种抛光或研磨的深度上仍是可取用的。
16.如权利要求10所述的方法,其进一步包括在第二基板中整合多个宽导线以构成由导体所组成的密集数组;
嵌入所述第二基板在所述第一基板中,以取代所述第一基板中的非常细路外形的表面迹线。
17.如权利要求10所述的方法,其进一步包括在第二基板的各种深度整合多个宽导线,以提供由导体所组成的所述密集数组。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英帆萨斯公司,未经英帆萨斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680069890.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:MIM电容器及其制造方法
- 下一篇:堆叠裸片接地屏蔽