[实用新型]一种半桥结构的全SiC功率半导体模块有效
| 申请号： | 201620376162.X | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN205657051U | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王志超 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;张宇锋 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 sic 功率 半导体 模块 | ||
【说明书】：
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