[发明专利]半导体结构和相关的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一导电性的衬底；

所述第一导电性的第一区，形成在所述衬底中；

所述第一导电性的第二区，形成在所述第一区中，其中，所述第二区具有比所述第一区更高的掺杂密度；

栅极结构，形成在所述衬底上，从顶视图上看，所述栅极结构与所述第一区重叠而不与所述第二区重叠，其中，所述栅极结构的侧壁与所述第二区的与所述第一区相接的侧壁对准；

第二导电性的源极区，形成在所述第二区中；

第一硅化物区，形成在所述源极区中；

所述第二导电性的漏极区，形成在所述衬底中；

所述第一导电性的拾取区，形成在所述第二区中并且与所述源极区相邻，其中，所述拾取区与所述源极区分隔开比阈值距离更大的距离；以及

第二硅化物区，形成在所述拾取区中；

抗蚀剂保护氧化物(RPO)层，形成在所述第二区的顶面上；

其中，所述抗蚀剂保护氧化物层形成在所述源极区和所述拾取区之间的所述第二区的顶面上，并且所述抗蚀剂保护氧化物层未与所述第一硅化物区和所述第二硅化物区的任何一个对准。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述抗蚀剂保护氧化物层进一步延伸以覆盖所述源极区的顶面的至少部分。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述抗蚀剂保护氧化物层进一步延伸以覆盖所述拾取区的顶面的至少部分。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述抗蚀剂保护氧化物层包括二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括形成在所述衬底上以及所述抗蚀剂保护氧化物层上的层间介电(ILD)层，所述层间介电层接触所述抗蚀剂保护氧化物层、所述源极区、所述漏极区以及所述拾取区。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极区和所述漏极区包括n型掺杂剂。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，侧壁间隔件形成在所述栅极结构的每侧上。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构是高压器件。

9.一种半导体结构，包括：

第一导电性的衬底；

所述第一导电性的第一区，形成在所述衬底中；

所述第一导电性的第二区，形成在所述第一区中，其中，所述第二区具有比所述第一区更高的掺杂密度；

栅极结构，形成在所述衬底上，从顶视图上看，所述栅极结构与所述第一区重叠而不与所述第二区重叠，其中，所述栅极结构与所述第二区与所述第一区相接的侧壁对准；

第二导电性的源极区，形成在所述第二区中；

第一硅化物区，形成在所述源极区中；

所述第二导电性的漏极区，形成在所述衬底中；

所述第一导电性的拾取区，形成在所述第二区中并且与所述源极区相邻，其中，所述拾取区与所述源极区分隔开比阈值距离更大的距离；

第二硅化物区，形成在所述拾取区中；

介电膜，形成在所述源极区和所述拾取区之间的所述第二区的顶面上；

其中，所述源极区和所述拾取区未由所述第二区中的隔离部件结构分隔开，并且所述介电膜未与所述第一硅化物区和所述第二硅化物区的任何一个对准。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述介电膜进一步延伸以覆盖所述源极区和所述拾取区的顶面的至少部分。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述介电膜包括二氧化硅。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，侧壁间隔件形成在所述栅极结构的每侧上。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述半导体结构是高压器件。