[发明专利]封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法

说明书

一种实施例封装件包括第一封装件；接触第一封装件的顶面的热界面材料(TIM)、以及接合至第一封装件的第二封装件。第二封装件包括第一半导体管芯，并且TIM接触第一半导体管芯的底面。封装件还包括设置在第二封装件的与第一封装件相对的表面上的散热器。本发明实施例涉及封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法。

技术领域

本发明实施例涉及封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度不断提高，半导体工业已经经历了快速的发展。在大多数情况下，这种集成度的提高源自最小部件尺寸的反复减小(例如，将半导体工艺节点朝着亚20nm节点缩减)，这允许更多的部件集成在给定的区域内。近来随着对微型化、更高速度、更大带宽以及更低功耗和延迟的要求提高，也产生了对于半导体管芯的更小和更具创造性的封装技术的需要。

随着半导体技术的进一步发展，已经出现了堆叠半导体器件(例如，3D集成电路(3DIC))，以作为进一步减小半导体器件的物理尺寸的有效可选方式。在堆叠式半导体器件中，在不同半导体晶圆上制造诸如逻辑器、存储器、处理器电路等的有源电路。可以将两个或更多的半导体晶圆安装在彼此的顶部上，以进一步减小半导体器件的形成因子。

可以通过合适的接合技术将两个半导体晶圆或管芯接合在一起。堆叠半导体器件可以提供具有更小的形成因子的更高的密度并且允许增加的性能和更低的功耗。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种封装件，包括：第一封装件；热界面材料(TIM)，接触所述第一封装件的顶面；第二封装件，接合至所述第一封装件，其中，所述第二封装件包括第一半导体管芯，以及其中，所述热界面材料接触所述第一半导体管芯的底面；以及散热器，设置在所述第二封装件的与所述第一封装件相对的表面上。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种封装件，包括：第一管芯；第一模塑料，沿着所述第一管芯的侧壁延伸；聚合物层，位于所述第一管芯的顶面上；第二管芯，位于所述第一管芯上方且通过间隙与所述第一管芯分离，其中，所述聚合物层跨越所述间隙且接触所述第二管芯的底面；以及第二模塑料，沿着所述第二管芯的侧壁延伸，其中，所述第一模塑料和所述第二模塑料通过所述间隙分离。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种形成封装件的方法，包括：提供包括第一半导体管芯的第一封装件；提供第二封装件，所述第二封装件包括在顶面上的热界面材料(TIM)；将所述第一封装件接合至所述第二封装件以形成接合的封装件，其中，所述热界面材料接触所述接合的封装件中的所述第一半导体管芯的底面；以及将散热器附接至所述第一封装件的与所述热界面材料相对的侧。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1至图5A和图5B示出了根据一些实施例的形成半导体器件封装件的各个中间阶段的截面图。

图6至图10示出了根据一些其它实施例的形成半导体器件封装件的各个中间阶段的截面图。

图11至图13示出了根据一些其它实施例的形成半导体器件封装件的各个中间阶段的截面图。

图14示出了根据一些实施例的用于形成半导体器件封装件的工艺流程。

具体实施方式