[发明专利]封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法有效
申请号: | 201611181544.8 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN106997854B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 林文益;刘献文;林柏尧;黄震麟;吕学德;郑心圃 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 集成 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装件,包括:
第一封装件包括第一半导体管芯,其中,所述第一半导体管芯包括第一半导体衬底;
热界面材料(TIM),至少部分地接触所述第一封装件的顶面;
第二封装件,接合至所述第一封装件,其中,所述第二封装件包括第二半导体管芯以及围绕所述第二半导体管芯的模塑料,所述第二半导体管芯包括第二半导体衬底,以及其中,所述热界面材料至少部分地接触所述第一半导体管芯的第一表面和所述第二半导体管芯的第二表面,其中,所述热界面材料整体具有相同的材料,其中,所述热界面材料在由沿着所述第一半导体衬底的第一侧壁延伸的第一导线、沿着所述第一半导体衬底的第二侧壁延伸的第二导线、所述第一半导体衬底的第一表面和所述第二半导体衬底的第二表面所围绕的整个区域中连续地延伸,并且其中,所述热界面材料沿着所述第二封装件的表面横向延伸经过所述第二半导体衬底的边缘并且所述热界面材料的端部介于第一半导体衬底的边缘和所述第二半导体衬底的边缘之间;以及
散热器,设置在所述第二封装件的与所述第一封装件相对的表面上,
其中,所述第二半导体管芯和所述模塑料间隔开。
2.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述热界面材料的第一表面面积是所述第二半导体管芯的第二表面面积的至少百分之八十。
3.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第二封装件还包括:
多个贯通孔,延伸穿过所述模塑料;以及
焊帽,位于所述多个贯通孔的每个上。
4.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第二封装件还包括:
多个贯通孔,延伸穿过所述模塑料;以及
焊帽,至少部分地设置在所述多个贯通孔中的每个中。
5.根据权利要求1所述的封装件,还包括设置在所述第一半导体管芯的与所述热界面材料相对的侧上的扇出再分布层(RDL),其中,所述扇出再分布层横向延伸经过所述第二半导体管芯的边缘。
6.根据权利要求1所述的封装件,还包括位于所述第二半导体管芯的与所述热界面材料相对的侧上的衬底,其中,所述第二半导体管芯倒装接合至所述衬底。
7.一种封装件,包括:
第一管芯,包括设置在第一半导体衬底上的第一输入/输出部件,其中,所述第一管芯包括设置在所述第一半导体衬底的与所述第一输入/输出部件相对侧上的顶面;
第一模塑料,沿着所述第一管芯的侧壁延伸;
聚合物层,至少接触所述第一管芯的顶面;
第二管芯,位于所述第一管芯上方且通过间隙与所述第一管芯分离,其中,所述第二管芯包括设置在第二半导体衬底上的第二输入/输出部件,其中,所述聚合物层跨越所述间隙且接触所述第二管芯的底面,其中,所述第二管芯的底面设置在所述第二半导体衬底的与所述第二输入/输出部件的相对侧上;以及
第二模塑料,沿着所述第二管芯的侧壁延伸并且与所述第二管芯间隔开,其中,所述第一模塑料和所述第二模塑料通过所述间隙分离,其中,所述间隙包括气隙,所述气隙分别位于所述第一模塑料的顶面和所述第二模塑料的底面之间,
其中,所述聚合物层接触所述第二模塑料的底面而不接触所述第一模塑料。
8.根据权利要求7所述的封装件,其中,还包括延伸穿过所述第一模塑料的焊球,其中,所述焊球在底部处与所述第一模塑料之间存在气隙。
9.根据权利要求7所述的封装件,还包括:
热扩散部件,位于所述第二管芯上方;
贯通孔(TIV),延伸穿过所述第二模塑料;
焊帽,位于所述贯通孔上,其中,所述焊帽设置在所述间隙中;以及
导电元件,延伸穿过所述第一模塑料并且接合至所述焊帽。
10.根据权利要求7所述的封装件,还包括:
开口,延伸穿过所述第二模塑料;以及
焊球,设置在所述开口和间隙中,其中,所述焊球接合至位于所述第一模塑料中的导电元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造