[发明专利]晶圆承载装置以及半导体设备有效

申请号：	201611169532.3	申请日：	2016-12-16
公开（公告）号：	CN108206153B	公开（公告）日：	2021-02-09
发明（设计）人：	张永昌;蔡释严;黄国希;游宗勋;李隽毅	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/673	分类号：	H01L21/673
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	李昕巍;郑特强
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	承载装置以及半导体设备
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【说明书】：

一种晶圆承载装置以及半导体设备，晶圆承载装置包括一驱动机构、一晶圆基座以及一电性隔离元件。驱动机构耦接于一接地电压。晶圆基座设置于驱动机构上，且包括一容置槽，用以放置一晶圆。电性隔离元件设置于晶圆基座上，以抑制晶圆以及接地电压之间的电荷流动。

技术领域

本揭露主要涉及一种晶圆承载装置以及半导体设备，尤指一种具有电性隔离元件的晶圆承载装置以及具有等离子体装置的半导体设备。

背景技术

半导体装置已使用于多种电子上的应用，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置基本上依序经由沉积绝缘层或介电层、导电层以及半导体层的材料至一晶圆以及使用微影技术图案化多种材料层来形成电路元件以及元件于其上而被制造。许多集成电路一般制造于一单一晶圆，且晶圆上个别的晶粒于集成电路之间沿着一切割线被切割分离。举例而言，个别的晶粒基本上被分别的封装于一多芯片模块或是其他类型的封装。

于原子层沉积(Atomic layer deposition)工艺中，将先将第一前驱物沉积于晶圆上，之后将第二前驱物沉积于第一前驱物上，并藉由第一前驱物与第二前驱物进行结合以于晶圆上形成一薄膜。由于上述薄膜的厚度可小于物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)所形成的薄膜的厚度，因此原子层沉积工艺已逐渐应用于先进的半导体工艺上。

虽然目前原子层沉积装置已符合一般的目的，但却没有满足所有的方面。因此，需要提供一种原子层沉积装置的改进方案。

发明内容

本揭露提供了一种晶圆承载装置，包括一驱动机构、一晶圆基座以及一电性隔离元件。驱动机构耦接于一接地电压。晶圆基座设置于驱动机构上，且包括一容置槽，用以放置一晶圆。电性隔离元件设置于晶圆基座上，以抑制晶圆以及接地电压之间的电荷流动。

本揭露提供了一种半导体设备，包括一驱动机构、一晶圆基座、一电性隔离元件以及一等离子体装置。驱动机构耦接于一接地电压。晶圆基座设置于驱动机构上。晶圆基座包括多个容置槽，用以放置多个晶圆。电性隔离元件设置于晶圆基座上，以抑制晶圆以及接地电压之间的电荷流动。

附图说明

图1为根据本揭露的一些实施例的半导体设备的示意图。

图2为根据本揭露的一些实施例的半导体设备的俯视图。

图3为根据本揭露的一些实施例的晶圆基座的俯视图。

图4为根据本揭露的一些实施例的原子层沉积工艺的流程图。

图5为根据本揭露的一些实施例的半导体设备的示意图。

图6为根据本揭露的一些实施例的半导体设备的示意图。

图7根据本揭露的一些实施例的晶圆承载装置的示意图。