[发明专利]晶圆承载装置以及半导体设备有效
申请号: | 201611169532.3 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN108206153B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 张永昌;蔡释严;黄国希;游宗勋;李隽毅 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 以及 半导体设备 | ||
1.一种晶圆承载装置,包括:
一驱动机构,耦接于一接地电压;
一晶圆基座,设置于该驱动机构上,且包括一容置槽,用以放置一晶圆;以及
一电性隔离元件,设置于该晶圆基座上以及该容置槽内,以抑制该晶圆以及该接地电压之间的电荷流动,多个间隔突块布置在该电性隔离元件远离该容置槽底面的表面上,并用以接触该晶圆的下表面。
2.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其中该晶圆基座还包括:
一轴部,设置于该驱动机构上;以及
一承载盘,设置于该轴部,且包括该容置槽。
3.一种晶圆承载装置,包括:
一驱动机构,耦接于一接地电压;
一晶圆基座,设置于该驱动机构上,且包括一容置槽,用以放置一晶圆;以及
一电性隔离元件,设置于该晶圆基座上,以抑制该晶圆以及该接地电压之间的电荷流动,其中该晶圆基座包括多个间隔突块,其设置于该容置槽的底面上,且该电性隔离元件设置于所述多个间隔突块上。
4.如权利要求3所述的晶圆承载装置,其中该晶圆基座还包括:
一轴部,设置于该驱动机构上;以及
一承载盘,设置于该轴部,且包括该容置槽。
5.如权利要求4所述的晶圆承载装置,其中该电性隔离元件设置于该轴部与该承载盘之间。
6.如权利要求4所述的晶圆承载装置,其中该电性隔离元件设置于该轴部内和/或该承载盘内。
7.一种半导体设备,包括:
一驱动机构,耦接于一接地电压;
一晶圆基座,设置于该驱动机构上,其中该晶圆基座包括多个容置槽以及多个间隔突块,所述多个容置槽用以放置多个晶圆,所述多个间隔突块设置于所述多个容置槽的底面上;
一电性隔离元件,设置于该晶圆基座的所述多个间隔突块上,以抑制该晶圆以及该接地电压之间的电荷流动;以及
一等离子体装置,设置于该驱动机构或该晶圆基座上方。
8.如权利要求7所述的半导体设备,其中该等离子体装置包括:
一第一电极板,设置于所述多个容置槽的其中之一的上方;
一第二电极板,设置于该第一电极板的上方;以及
一射频装置,耦接于该第二电极板,用以使该第一电极板以及第二电极板之间产生一电场。
9.如权利要求8所述的半导体设备,其中该等离子体装置还包括:
一等离子体气体分布装置,设置于该第二电极板上;以及
一等离子体气体供应装置,提供一处理气体至该等离子体气体分布装置,
其中该处理气体经由该等离子体气体分布装置流至该第一电极板以及该第二电极板之间,并于该第一电极板以及该第二电极板之间形成等离子体。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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