[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成粘结层；图案化所述粘结层，以在所述粘结层中形成切割路径；通过所述粘结层将所述第一晶圆与第二晶圆相接合；沿所述切割路径切割所述第一晶圆与所述第二晶圆。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，采用干膜材料形成粘结层，并通过光刻工艺在粘结层中形成切割路径，然后用切割刀沿所述切割路径切割晶圆，从而避免切割过程中粘刀的情况，保证切割品质。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

对于CIS(CMOS Image Sensor，互补金属氧化物半导体图像传感器)，传统的封装采取分立式封装方式，这种封装方式需要对每颗芯片进行单独的封装。随着安装于各种电子产品中的相机数量不断增多，每年对于图像传感器的需求达到数十亿颗之多，分立式封装产能低、良率低、成本高的缺点已经无法适应这种增长。在这种背景下，一种适用于大规模量产的封装方式被开发出来，即晶圆级封装。

晶圆级封装(WLP)以球栅阵列(BGA)技术为基础，是一种经过改进和提高的晶片级封装(CSP)。晶圆级封装技术为晶圆级的半导体器件提供封装，在晶圆上同时对众多芯片进行封装、老化和测试，最后切割成单个器件，可以直接贴装到基板或印刷电路板(PCB)上，使封装尺寸减小至IC芯片的尺寸，生产成本大幅度下降。WLP广泛应用于各种技术中，包括：3D-集成电路(IC)，器件，以及微型机电系统(MEMS)。使用WLP技术的优点包括提高电气性质，增加密度，降低器件尺寸，降低成本，以及允许晶圆级的附加测试。

然而，根据目前的晶圆级封装工艺，在晶圆切割过程中，易发生粘结层物质粘在切割刀具上而影响切割品质。因此，有必要提出一种半导体器件的制作方法，以解决上述问题，保证切割品质。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成粘结层；

图案化所述粘结层，以在所述粘结层中形成切割路径；

通过所述粘结层将所述第一晶圆与第二晶圆相接合；

沿所述切割路径切割所述第一晶圆与所述第二晶圆。

进一步，所述第一晶圆包括玻璃晶圆。

进一步，所述第二晶圆包括图像传感器晶圆。

进一步，所述粘结层包括干膜。

进一步，形成所述干膜的方法包括层压法。

进一步，所述切割路径的宽度为80-200微米。

进一步，采用机械切割法切割所述第一晶圆与所述第二晶圆。

进一步，所述机械切割法选用宽度为60-100微米的切割刀。

进一步，所述切割刀的宽度小于所述切割路径的宽度。

进一步，所述粘结层的高度为20-60微米。

进一步，沿所述切割路径切割所述第一晶圆与所述第二晶圆之前还包括在所述第二晶圆中与所述粘结层对应的位置处形成硅通孔的步骤。

根据本发明提供的半导体器件的制作方法，采用干膜材料形成粘结层，并通过光刻工艺在粘结层中形成切割路径，然后用切割刀沿所述切割路径切割晶圆，从而避免切割过程中粘刀的情况，保证切割品质。