[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201611152917.9 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231805B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成;刘尧;陆建刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成粘结层，所述粘结层包括干膜；
执行光刻工艺图案化所述粘结层，以在所述粘结层中形成切割路径；
通过所述粘结层将所述第一晶圆与第二晶圆相接合；
沿所述切割路径切割所述第一晶圆与所述第二晶圆。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆包括玻璃晶圆。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二晶圆包括图像传感器晶圆。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述干膜的方法包括层压法。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割路径的宽度为80-200微米。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用机械切割法切割所述第一晶圆与所述第二晶圆。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述机械切割法选用宽度为60-100微米的切割刀。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述切割刀的宽度小于所述切割路径的宽度。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘结层的高度为20-60微米。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沿所述切割路径切割所述第一晶圆与所述第二晶圆之前还包括在所述第二晶圆中与所述粘结层对应的位置处形成硅通孔的步骤。
11.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一晶圆和第二晶圆；
粘结层，所述粘结层位于所述第一晶圆和第二晶圆之间，将所述第一晶圆与第二晶圆相接合，所述粘结层中形成有切割路径，所述粘结层包括感光材料或能够执行光刻工艺的非感光材料，所述粘结层包括干膜。
12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶圆包括玻璃晶圆。
13.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第二晶圆包括图像传感器晶圆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
