[发明专利]4H-SiC晶体生长方法在审
| 申请号： | 201611116598.6 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108166058A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B9/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 混合物 碳化硅 多晶 晶体生长 金属 加热融化 晶体的 生长 制作 保证 | ||
1.一种4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，包括：制作多晶碳化硅与金属的混合物，将所述多晶碳化硅与金属的混合物作为原材料生长4H-SiC晶体。
2.如权利要求1所述的4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，还包括：将所述多晶碳化硅与金属的混合物放入碳石墨坩埚中，将所述碳石墨坩埚放入腔室内采用顶部籽晶溶盐法生长4H-SiC晶体。
3.如权利要求2所述的4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，采用化学气相沉积的方法形成所述多晶碳化硅与金属的混合物；反应气体为：SiHCl3、C3H8与M(C2H5)n，其中，M为所述金属，n为正整数。
4.如权利要求3所述的4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，所述金属为镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、或镥。
5.如权利要求3所述的4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，在所述反应气体中，所述Si与M的质量比为1:0.6～1:0.7，所述Si与C的原子比为1:1。
6.如权利要求5所述的4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，在所述化学气相沉积中，反应腔室的温度为1200℃～1300℃，压力为760Torr。
7.如权利要求3所述的4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，所述顶部籽晶溶盐法包括：升高所述腔室的温度使所述多晶碳化硅与金属的混合物融化；将4H-SiC籽晶放置于融化的所述多晶碳化硅与金属的混合物的表面生长4H-SiC晶体。
8.如权利要求7所述的4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，在生长4H-SiC晶体的过程中，不断地从所述腔室的一端中通入氩气，从所述腔室的另一端排出废气。
9.如权利要求8所述的4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，采用射频加热、电阻加热或红外辐射加热的方法升高所述腔室的温度。
10.如权利要求9所述的4H-SiC晶体生长方法，其特征在于，形成所述4H-SiC晶体之后，采用冷却的氩气对所述腔室进行冷却。
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