[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

在衬底上形成多个伪半导体鳍，其中，所述伪半导体鳍彼此邻近并且分组成多个鳍组，并且每个所述鳍组包括至少两个邻近的所述伪半导体鳍；以及

每次一组地同时凹进所述鳍组的所述伪半导体鳍。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成绝缘结构以覆盖凹进的所述伪半导体鳍。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述凹进包括：

形成抗反射层以覆盖所述伪半导体鳍；

在所述抗反射层上形成图案化掩模，其中，所述图案化掩模暴露所述抗反射层的设置在所述鳍组的一个上的部分；以及

凹进所述抗反射层的所述部分并且通过所述图案化掩模暴露所述鳍组的所述一个的所述伪半导体鳍。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述凹进从而使得不同所述鳍组的凹进的所述伪半导体鳍具有相同的高度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述鳍组设置在所述衬底的隔离区中，以及所述凹进包括：

凹进所述鳍组的设置在所述衬底的所述隔离区的边缘部处的一个所述鳍组的所述伪半导体鳍；以及

在凹进所述鳍组的设置在所述衬底的所述隔离区的所述边缘部处的一个所述鳍组的所述伪半导体鳍之后，凹进所述鳍组的设置在所述衬底的所述隔离区的中间部处的另一个所述鳍组的所述伪半导体鳍。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述鳍组设置在所述衬底的隔离区中，以及所述凹进包括：

凹进所述鳍组的设置在所述衬底的所述隔离区的中间部处的一个所述鳍组的所述伪半导体鳍；以及

在凹进所述鳍组的设置在所述衬底的所述隔离区的所述中间部处的一个所述鳍组的所述伪半导体鳍之后，凹进所述鳍组的设置在所述衬底的所述隔离区的边缘部处的另一个所述鳍组的所述伪半导体鳍。

7.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

在衬底上形成第一鳍组和第二鳍组，其中，所述第一鳍组设置为邻近所述第二鳍组，所述第一鳍组包括至少两个邻近的第一伪半导体鳍，以及所述第二鳍组包括至少两个邻近的第二伪半导体鳍；以及

同时凹进所述第一鳍组的所述第一伪半导体鳍；以及

同时凹进所述第二鳍组的所述第二伪半导体鳍，其中，分开地实施凹进所述第一鳍组的所述第一伪半导体鳍和凹进所述第二鳍组的所述第二伪半导体鳍。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

形成绝缘结构以覆盖凹进的所述第一伪半导体鳍和凹进的所述第二伪半导体鳍。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述形成还包括：

在所述衬底上并且邻近所述第一鳍组形成至少一个有源半导体鳍，其中，所述第一鳍组设置在所述有源半导体鳍和所述第二鳍组之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在凹进所述第二鳍组的所述第二伪半导体鳍之前，凹进所述第一鳍组的所述第一伪半导体鳍。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，在凹进所述第二鳍组的所述第二伪半导体鳍之后，凹进所述第一鳍组的所述第一伪半导体鳍。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述形成还包括：

在所述衬底上并且邻近所述第一鳍组形成第三鳍组，其中，所述第三鳍组包括至少两个邻近的第三伪半导体鳍，所述第一鳍组设置在所述第三鳍组和所述第二鳍组之间，以及所述方法还包括：

凹进所述第三鳍组的所述第三伪半导体鳍，其中，分开地实施凹进所述第一鳍组的所述第一伪半导体鳍、凹进所述第二鳍组的所述第二伪半导体鳍和凹进所述第三鳍组的所述第三伪半导体鳍。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在凹进所述第三鳍组的所述第三伪半导体鳍之前，凹进所述第一鳍组的所述第一伪半导体鳍。