[发明专利]一种高介电环氧塑封料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种环氧塑封料，以该环氧塑封料的总重量为100%计，其原料组成包括：

高介电填料5%-50%、低介电填料10%-80%、环氧树脂10%-50%、酚醛树脂10%-50%、固化剂10%-20%、促进剂0.1%-0.5%、分散剂0.1%-1%、应力吸收剂1%-10%、脱模剂0.1%-0.5%和阻燃剂1%-10%，各组分的百分比之和为100%；

其中，所述高介电填料为粒径50nm-5μm的石墨烯包覆的二氧化硅颗粒；

所述高介电填料的介电常数为10-1000，所述低介电填料的介电常数为0.5-10。

2.如权利要求1所述的环氧塑封料，其中，所述低介电填料为粒径50nm-50μm的球形二氧化硅。

3.如权利要求1所述的环氧塑封料，其中，所述石墨烯包覆的二氧化硅颗粒是通过以下步骤制备的：

采用硅烷偶联剂对二氧化硅进行表面处理，然后，与氧化石墨烯的水分散溶液混合，对得到的沉淀进行洗涤、烘干后，经过还原得到所述石墨烯包覆的二氧化硅颗粒。

4.如权利要求3所述的环氧塑封料，其中，所述表面处理是将所述二氧化硅分散在水和乙醇的溶液中，加入所述硅烷偶联剂，进行回流反应；所述回流反应的反应温度为80-95℃，反应时间为5-10h。

5.如权利要求3所述的环氧塑封料，其中，所述还原的温度为100-1200℃，还原的处理时间为30min-6h，处理气氛为氩氢混合气。

6.如权利要求5所述的环氧塑封料，其中，所述氩氢混合气中的氢气的质量分数为5%。

7.如权利要求4所述的环氧塑封料，其中，所述还原的温度为100-1200℃，还原的处理时间为30min-6h，处理气氛为氩氢混合气。

8.如权利要求7所述的环氧塑封料，其中，所述氩氢混合气中的氢气的质量分数为5%。

9.如权利要求3所述的环氧塑封料，其中，所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-巯丙基三甲氧基硅烷中的一种或者几种的组合。

10.如权利要求4所述的环氧塑封料，其中，所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-巯丙基三甲氧基硅烷中的一种或者几种的组合。

11.如权利要求5所述的环氧塑封料，其中，所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-巯丙基三甲氧基硅烷中的一种或者几种的组合。

12.如权利要求6所述的环氧塑封料，其中，所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-巯丙基三甲氧基硅烷中的一种或者几种的组合。

13.如权利要求7所述的环氧塑封料，其中，所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-巯丙基三甲氧基硅烷中的一种或者几种的组合。

14.如权利要求8所述的环氧塑封料，其中，所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-巯丙基三甲氧基硅烷中的一种或者几种的组合。

15.如权利要求3所述的环氧塑封料，其中，所述二氧化硅的加入量为1-500g，所述硅烷偶联剂的加入量为0.25-30g，所述石墨烯的加入量为0.1g-30g。