[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括：相邻的器件区和隔离区；

在所述隔离区衬底中形成隔离结构；

在所述器件区形成半导体器件，所述半导体器件包括：掺杂区，所述掺杂区邻近所述隔离结构，所述隔离结构暴露出所述掺杂区部分侧壁表面；

形成覆盖所述掺杂区部分侧壁的抗金属化层；

形成所述抗金属化层之后，进行金属化处理，在所述掺杂区顶部表面形成金属化物。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗金属化层的材料为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种组合。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗金属化层的厚度为50埃～500埃。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述抗金属化层的步骤包括：

在所述隔离结构和所述掺杂区表面形成初始抗金属化层；

去除所述掺杂区顶部表面的初始抗金属化层，保留所述掺杂区部分侧壁表面和所述隔离结构顶部表面的初始抗金属化层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成初始抗金属化层的工艺包括：化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掺杂区顶部表面的初始抗金属化层的步骤包括：

在所述隔离结构上的初始抗金属化层上形成光刻胶，所述光刻胶暴露出掺杂区顶部上的初始抗金属化层；

刻蚀去除所述掺杂区顶部上的初始抗金属化层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掺杂区顶部表面的初始抗金属化层的工艺包括：干法刻蚀、湿法刻蚀或干法和湿法刻蚀的共同应用。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体器件还包括：位于衬底上的栅极结构；所述掺杂区分别位于所述栅极结构两侧器件区衬底中。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述抗金属化层的步骤包括：

在所述栅极结构、掺杂区和隔离结构表面形成初始抗金属化层；

去除所述栅极结构顶部表面的初始抗金属化层；

去除掺杂区顶部表面的初始抗金属化层，保留掺杂区部分侧壁表面的初始抗金属化层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述栅极结构顶部表面的初始抗金属化层的步骤包括：

在所述栅极结构之间的初始抗金属化层上形成牺牲层，所述牺牲层暴露出所述栅极结构顶部表面的初始抗金属化层；

以所述牺牲层为掩膜，刻蚀去除所述栅极结构顶部表面的初始抗金属化层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为有机材料。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成牺牲层的工艺包括：流体化学气相沉积工艺、喷涂或旋涂。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属化处理的步骤包括：在所述掺杂区表面和所述抗金属化层表面形成金属层，所述金属层与部分所述掺杂区发生反应，形成金属化物；去除所述抗金属化层表面的金属层。

14.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括：相邻的器件区和隔离区；

位于所述隔离区衬底中的隔离结构；

位于所述器件区的半导体器件，所述半导体器件包括：掺杂区，所述掺杂区邻近所述隔离结构，所述隔离结构暴露出所述掺杂区部分侧壁表面；

覆盖所述掺杂区部分侧壁的抗金属化层；

位于所述掺杂区表面的金属化物。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述抗金属化层的材料为氧化硅或氮化硅。

16.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件还包括：

栅极结构，所述掺杂区位于所述栅极结构两侧器件区衬底中，所述隔离结构暴露出所述掺杂区部分侧壁表面。

17.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述抗金属化层还覆盖所述隔离结构、所述掺杂区和所述栅极结构接触处。