[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一第一掺杂区和一第二掺杂区，两者形成于一基板中，一部分的该基板使该第一掺杂区和该第二掺杂区彼此分离，其中该第一掺杂区为一P型掺杂区，该第二掺杂区为一N型掺杂区，该基板为一P型基板，且该部分的该基板的一导电型态为P型；

一第一栅极，形成于该基板上方，该第一栅极部分重叠于该第一掺杂区的一部分、该部分的该基板、和该第二掺杂区的一部分，其中该第一栅极包括一第一栅极层以及一第一栅极间隙壁，其中该第一栅极间隙壁形成于该第一栅极层的一侧壁上；

一第二栅极，形成于该基板上方，该第二栅极部分重叠于该第二掺杂区的一不同部分，其中该第二栅极包括一第二栅极层以及一第二栅极间隙壁，其中该第二栅极间隙壁形成于该第二栅极层的一侧壁上；

一硅化物，形成于该第二掺杂区中且位于该第一栅极间隙壁与该第二栅极间隙壁之间；

一第一电压源，对该第二栅极提供一第一电压；

一第二电压源，对该第二掺杂区提供一第二电压，其中操作该第一电压源和该第二电压源使该第一电压小于该第二电压，以于该第二掺杂区中且于该第二栅极下方形成一空乏区；以及

一电流路径，从该第一掺杂区中的一第一重掺杂部分经由该空乏区的周围延伸至该第二掺杂区中的第二重掺杂部分。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一电压源和该第二电压源的其中一个耦接至一电源，且该第一电压源和该第二电压源的另外一个耦接至一电性接地。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

该第一重掺杂部分以构成一晶体管的一源极；

该第二重掺杂部分以构成该晶体管的一漏极，该第一重掺杂部分和该第二重掺杂部分分别掺杂与该第二掺杂区相同极性；以及

该第一栅极构成该晶体管的一栅极。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一第三栅极，形成于该第二掺杂区上。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括多个额外虚设栅极结构，设置于第二掺杂区的上方。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极具有一完全硅化上表面。

7.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

于一基板中形成一第一井和相反掺杂的一第二井，一部分的该基板使该第一井和该第二井彼此分离，其中该第一井为一P型井，该第二井为一N型井，该基板为一P型基板，且该部分的该基板的一导电型态为P型；

于该基板上方形成一组件栅极和一虚设栅极，该组件栅极形成于该第一井和该第二井的上方，且该虚设栅极形成于该第二井的上方，且该组件栅极和该虚设栅极借由一空隙隔开，其中该组件栅极包括一第一栅极层以及一第一栅极间隙壁，该第一栅极间隙壁形成于该第一栅极层的一侧壁上，其中该虚设栅极包括一第二栅极层以及一第二栅极间隙壁，该第二栅极间隙壁形成于该第二栅极层的一侧壁上；

形成一保护屏蔽，以覆盖该组件栅极和该虚设栅极之间的该空隙；

形成一源极区和具有与该源极区相同掺杂极性的一漏极区，该源极区形成于未被该组件栅极保护的一部分该第一井中，且该漏极区形成于未被该虚设栅极和该保护屏蔽保护的一部分该第二井中；

移除该保护屏蔽；

形成用于该源极区、该漏极区、该组件栅极、该虚设栅极和从该空隙暴露出来的一部分该第二井的硅化表面，其中用于从该空隙暴露出来的一部分该第二井的硅化表面位于该第一栅极间隙壁与该第二栅极间隙壁之间；以及

形成一电流路径，其中形成该电流路径的步骤包括：

对该虚设栅极施加偏压至一第一电压；

对该漏极区施加偏压至大于该第一电压的一第二电压，以于该第二井中且于该虚设栅极下方形成一空乏区，使得该电流路径从该源极区经由该空乏区的周围延伸至该漏极区。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中形成该硅化表面的步骤包括硅化该组件栅极的一全部上表面。

9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，更包括对该组件栅极施加一第三电压，其中该第三电压大于该第二电压，使得一压降形成于该组件栅极与该漏极区之间。