[发明专利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板，通过在第一源极与漏极之间设置第一沟道区与第一轻掺杂补偿区，在第二源极与漏极之间设置第二沟道区与第二轻掺杂补偿区，且所述漏极和第二源极分别与所述栅极之间形成第一重叠区和第二重叠区，从而使得从第一、第二源极流向漏极的电流与从漏极流向第一、第二源极的电流所经过的路径相同，即从源极到漏极与从漏极到源极的电流路径相同，从而实现了TFT结构的对称性，在实际工作中将漏极与源极互换使用也不会影响流过TFT器件的电流，提升了TFT器件的电学性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。

背景技术

OLED是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，再加上其生产设备投资远小于TFT-LCD，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜，随着研究的进一步深入，新技术的不断涌现，OLED显示器件必将有一个突破性的发展。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

目前，AMOLED正在逐步走向成熟，在AMOLED中，需要以电流作为驱动，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)具有较大的迁移率，以其为有源层制作的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)可以满足AMOLED的电流驱动模式。低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)具有较高的迁移率，可以得到比较高的开态电流，但是由于LTPS中晶粒存在造成的缺陷，会导致LTPS TFT在关态时会出现较高的关态电流。为了减小LTPS TFT的关态电流，可以采用轻掺杂补偿(Lightly Doped Offset)结构。Offset结构目前已被研究的较多，但是offset结构形成高阻区会降低LTPS TFT的开态电流，为了获得较高的开态电流，可以对offset结构进行改进。

在具有offset结构的LTPS TFT中，为了减小高阻区对开态电流的影响，可以在TFT中增加重叠(overlap)结构，即源电极或漏电极与栅电极存在重叠区域，可以降低沟道长度和减小高阻区域，进而会提高开态电流。在LTPS TFT中，源电极或者漏电极分别采用offset和overlap结构，可以实现较小的关态电流，同时开态电流受到影响较小。但是，在一个LTPSTFT中，在源电极和漏电极分别采用offset和overlap结构时，会导致TFT结构出现不对称性，TFT在实际工作中，源电极或者漏电极互换时会因器件的不对称性而影响流过器件的电流。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，通过将栅极、以及源极或漏极设计为U形结构，使得TFT中的电流从漏极到源极或者从源极到漏极的通路均需通过两个offset结构与两个overlap结构，不仅可以降低关态电流，提高开态电流，而且电流通路还具有对称性，避免了器件结构不对称对LTPS TFT中电流通路的影响，提升了TFT器件的电学性能。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板，TFT中的电流从漏极到源极或者从源极到漏极的通路均需通过两个offset结构与两个overlap结构，不仅可以降低关态电流，提高开态电流，而且电流通路还具有对称性，避免了器件结构不对称对LTPS TFT中电流通路的影响，提升了TFT器件的电学性能。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：