[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：第一导电图形，覆盖所述第一导电图形的包括有过孔的绝缘层，其特征在于，所述第一导电图形上对应所述过孔的位置设置有第二导电图形。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电图形的面积不小于所述过孔的底面积。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电图形与第一导电图形的刻蚀选择比大于10。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电图形为铝、铜、钼、钛中的至少一种或多种；所述第二导电图形为金、铂、氧化铟锡中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电图形的厚度为5000-10000埃。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电图形为源漏极图形，所述绝缘层包括位于源漏极图形上的钝化层和树脂层，所述第二导电图形和所述源漏极图形的总厚度小于所述钝化层的厚度。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层还包括位于所述源漏极图形上的彩色滤光层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括像素电极、有源层、栅绝缘层、栅金属层；其中，栅绝缘层设置于阵列基板的衬底基板上，栅金属层设置于所述衬底基板和所述栅绝缘层之间；有源层设置于栅绝缘层上；像素电极设置于所述树脂层上。

9.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的衬底基板上设置有第一导电图形，所述第一导电图形上覆盖有包括过孔的绝缘层；其特征在于，所述方法包括：

在所述第一导电图形上对应于所述过孔的位置形成第二导电图形。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电图形上对应于所述过孔的位置形成第二导电图形的步骤具体包括：

沉积第一导电层；

在第一导电层上沉积第二导电层，所述第二导电层的厚度大于所述第二导电层图形的厚度；

在第二导电层上涂覆光刻胶，利用半灰阶掩膜板对光刻胶进行曝光，形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应第二导电图形，所述光刻胶部分保留区域对应第一导电图形除第二导电图形之外的区域；

进行第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区域的第一导电层和第二导电层；

对光刻胶进行灰化，使得光刻胶部分保留区域的光刻胶去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度减薄；

进行第二次刻蚀，去除光刻胶部分保留区域的第二导电层；

剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成第一导电图形和第二导电图形。