[发明专利]密封用片

说明书

技术领域

本发明涉及密封用片。

背景技术

以往，已知有通过在被固定于基板等上的1个或多个半导体芯片上配置密封用片，之后，在加热下进行加压而将半导体芯片埋入到密封用片中的半导体装置的制造方法(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-19714号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在上述的半导体装置的制造方法中，通过密封用片流动而半导体芯片被埋入密封用片中。然而，若密封用片的流动性不足，则有可能在密封体的外周附近，产生空隙或填料偏析。

本发明是鉴于上述的课题而进行的，其目的在于提供在形成在密封用片中埋入有半导体芯片的密封体时能够抑制产生空隙或填料偏析的密封用片。

用于解决课题的方案

本申请发明人等发现，通过采用下述的构成，能够解决上述的课题，从而完成本发明。

即，本发明为一种密封用片，其特征在于，90℃下的粘度在1Pa·s～50000Pa·s的范围内。

根据本发明所述的密封用片，由于90℃下的粘度为50000Pa·s以下，所以能够将半导体芯片适当地埋入密封用片中。此外，由于90℃下的粘度为50000Pa·s以下，具有一定程度的流动性，所以在形成的密封体的外周附近，能够抑制产生空隙或填料偏析。此外，由于90℃下的粘度为50000Pa·s以下，所以能够以低压将半导体芯片埋入密封用片中。因此，即使不使用用于施加高压的大型的密封体形成用的装置，也能够以简便的装置形成密封体。此外，由于90℃下的粘度为1Pa·s以上，所以能够抑制因密封体形成时的压力而构成密封用片的树脂沿片面方向大大流动。

在上述构成中，在纵22cm×横22cm的芯片层叠玻璃载体上，重叠切出成纵22cm×横22cm的尺寸的密封用片后，以冲压压力1MPa、冲压温度90℃、冲压时间120秒进行平板冲压时的尺寸的变化率以平板冲压前作为基准优选为20％以下，所述纵22cm×横22cm的芯片层叠玻璃载体以纵20个×横20个、芯片安装间隔(芯片的端与芯片的端的间隔)3mm安装有纵7mm×横7mm、厚度为200μm的半导体芯片。

若上述尺寸变化率为20％以下，则能够更加抑制因密封体形成时的压力而构成密封用片的树脂沿片面方向大幅流动。

发明效果

根据本发明，能够提供在形成在密封用片中埋入有半导体芯片的密封体时能够抑制产生空隙或填料偏析的密封用片。

附图说明

图1是本实施方式所述的密封用片的截面示意图。

图2是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图3是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图4是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图5是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图6是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图7是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图8是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图9是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图10的(a)是用于说明在空隙评价中使用的芯片层叠玻璃载体的主视图，(b)是其平面图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式，参照附图进行说明。但是，本发明并不仅限定于以下的实施方式。

(密封用片)

图1是本实施方式所述的密封用片的截面示意图。