[发明专利]紫外发光器件的光子提取有效
申请号: | 201580039877.4 | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN106796977B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 北村健;户板真人;石井宏典;王玉亭;L·J·斯高沃特;陈贱峰;J·R·格兰达斯基 | 申请(专利权)人: | 晶体公司 |
主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外 发光 器件 光子 提取 | ||
1.一种组装和老化照明器件的方法,所述方法包括:
在紫外(UV)发光半导体芯片的表面上提供一层有机密封剂;以及
将所述密封剂的至少一部分暴露于UV光以将所述密封剂的所述部分中的至少一些转化为非化学计量比二氧化硅材料,
其中,所述非化学计量比二氧化硅材料包括硅、氧和碳,所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量大于1ppm且小于40原子百分比。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量大于1原子百分比。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量小于30原子百分比。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量小于20原子百分比。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述密封剂上设置与所述半导体芯片相对的刚性透镜。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述刚性透镜是无机的。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述刚性透镜包括熔融二氧化硅、石英或蓝宝石中的至少一个。
8.根据权利要求5所述的方法,还包括将接附材料放置在所述半导体芯片的至少一部分周围以及所述刚性透镜的至少一部分周围。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述接附材料包括树脂。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述接附材料对UV光不透明。
11.根据权利要求8所述的方法,其中所述接附材料的顶表面被放置为比所述刚性透镜的底表面高不大于0.5mm。
12.根据权利要求8所述的方法,其中所述接附材料的顶表面被放置为比所述刚性透镜的底表面高不大于0.3mm。
13.根据权利要求5所述的方法,其中所述刚性透镜通过施加足以使所述刚性透镜和所述半导体芯片之间的所述密封剂的厚度最小化的力而接附到所述半导体芯片。
14.根据权利要求5所述的方法,其中,在所述刚性透镜被接附后,所述密封剂的厚度不足以阻挡所述刚性透镜与所述半导体芯片之间的由热膨胀失配引入的应变的传递。
15.根据权利要求5所述的方法,其中,在所述刚性透镜被接附后,所述密封剂的厚度为10μm或更小。
16.根据权利要求5所述的方法,其中所述刚性透镜是至少部分半球形的。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述刚性透镜基本上是半球形。
18.根据权利要求16所述的方法,其中所述刚性透镜具有基本半球形的部分以及置于其下方的基本圆柱形的部分。
19.根据权利要求5所述的方法,其中所述刚性透镜为平板。
20.根据权利要求5所述的方法,其中所述刚性透镜的顶表面的至少一部分是图案化或纹理化中的一种,以增强其光发射。
21.根据权利要求1所述的方法,其中所述密封剂在暴露于UV光之前包括有机硅。
22.根据权利要求1所述的方法,其中所述密封剂在暴露于UV光之前包括硅油或硅树脂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶体公司,未经晶体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580039877.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于固态照明中的下转换的多层转换材料
- 下一篇:安装基板
- 同类专利
- 层状聚合物结构和方法-201580042273.5
- J·亨宁;S·斯威尔 - 美国陶氏有机硅公司
- 2015-06-25 - 2019-09-17 - H01L33/52
- 本发明公开了一种光学组合件,所述光学组合件包括具有光学表面的光学器件。所述光学组合件还包括封装材料。所述封装材料基本上覆盖所述光学表面。在一些实施例中,所述封装材料为预成形的。
- 紫外发光器件的光子提取-201580039877.4
- 北村健;户板真人;石井宏典;王玉亭;L·J·斯高沃特;陈贱峰;J·R·格兰达斯基 - 晶体公司
- 2015-07-23 - 2019-06-28 - H01L33/52
- 在各个实施例中,有机密封剂层被提供在紫外(UV)发光半导体芯片的表面上方,密封剂的至少一部分被暴露于UV光以将密封剂的所述部分中的至少一些转化成非化学计量比二氧化硅材料。所述非化学计量比二氧化硅材料包括硅、氧和碳,所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量大于1ppm且小于40原子百分比。
- 光半导体装置及其制造方法以及银用表面处理剂及发光装置-201480066824.7
- 山浦格;东内智子;稻田麻希;后藤泰史;鲤渊滋;高根信明 - 日立化成株式会社
- 2014-12-11 - 2019-03-12 - H01L33/52
- 本发明一个侧面的光半导体装置具备在表面形成有镀银层的基板;接合于镀银层的发光二极管;由环绕发光二极管的光反射面形成收纳发光二极管的内侧空间的光反射部;将镀银层被覆的防银硫化膜;填充在内侧空间、将发光二极管密封的透明密封部,其中,防银硫化膜具有带有由粘土产生的阻气性的阻气层;配置在阻气层下层、具有粘接性的底涂层,透明密封部与所述底涂层接触。
- 半导体器件和用于制造半导体器件的方法-201780012837.X
- 科比尼安·佩尔茨尔迈尔;克里斯蒂安·莱雷尔;马蒂亚斯·斯佩尔 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2017-02-21 - 2018-10-23 - H01L33/52
- 本发明涉及一种半导体器件,‑其具有:至少一个半导体芯片(10),所述半导体芯片包括具有有源区域(12)的半导体本体(1)、转换元件(6)和载体(3),并且载体(3)具有第一成形体(33)、第一导体本体(31)和第二导体本体(32),并且导体本体(31,32)与有源区域(12)导电连接,并且其中转换元件(6)的背离有源区域(12)的一侧形成半导体芯片(10)的前侧(101),并且载体(3)的背离有源区域(12)的一侧形成半导体芯片(10)的后侧(102),并且半导体芯片的侧面(103)将前侧(101)和后侧(102)彼此连接;和‑所述半导体器件具有第二成形体(5),其中‑半导体芯片(10)完全地穿过第二成形体(5),使得第二成形体(5)形成围绕半导体芯片(10)的框架,并且半导体芯片(10)的前侧(101)和后侧(102)至少局部地没有第二成形体(5),并且‑第二成形体(5)在半导体芯片(10)的侧面上至少部分地遮盖转换元件(6)的露出的面。
- 发光装置及其制造方法-201280035302.1
- 蔵本雅史;岩仓大典;小关健司;鹤羽智阳;冈田聪;林正树 - 日亚化学工业株式会社
- 2012-05-15 - 2018-06-08 - H01L33/52
- 本发明提供一种光取出效率优良的发光装置及其制造方法。本发明的发光装置(100)的制造方法在通过滴下到具有连接发光元件(10)的导电部件(20)及与该导电部件(20)一体成形的成形体(25)的基体(30)上而成形密封所述发光元件(10)的密封部件(40)的工序中,所述密封部件(40)以该密封部件(40)的边缘的至少一部分设置在所述导电部件(20)或所述成形体(25)的俯视时朝向外侧的外向面(38)的方式而成形。
- LED器件、LED组件及紫外线发光装置-201680029996.6
- 土居笃典;岩崎克彦;增井建太朗 - 住友化学株式会社
- 2016-05-19 - 2018-01-19 - H01L33/52
- LED器件,其具有基板;LED元件,所述LED元件被配置于所述基板上;无机玻璃成型体,所述无机玻璃成型体被配置于来自所述LED元件的出射光的全部或一部分透过的位置;第1粘接部,所述第1粘接部以与所述基板接触的方式进行设置,并将所述基板与所述无机玻璃成型体粘接;和第2粘接部,所述第2粘接部被设置于所述LED元件与所述无机玻璃成型体之间,所述LED器件中,所述LED元件通过所述基板、所述无机玻璃成型体和所述第1粘接部而与外部大气隔绝,所述第2粘接部的形成材料包含缩聚型有机硅树脂,所述LED元件与所述无机玻璃成型体之间的距离为0.1mm以下。
- 光电子器件、光学元件和其制造方法-201380048833.9
- 凯西·施米特克;迈克尔·克鲁帕;贝尔特·布劳内 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2013-09-06 - 2017-10-27 - H01L33/52
- 根据至少一个实施方式提出一种光电子器件,所述光电子器件包括壳体(20);发射辐射的或接收辐射的半导体芯片(10),所述半导体芯片设置在壳体(20)中;和光学元件(50),所述光学元件设置在器件的光路中。光学元件(50)具有两亲的嵌段共聚物(55),所述嵌段共聚物包含作为疏水聚合物的聚硅氧烷以及与其交联的亲水聚合物。此外,光学元件(50)具有导热的纳米颗粒(60),所述纳米颗粒以分布在两亲的嵌段共聚物(55)中的方式存在并且包括选自下述组的材料金属、金属氧化物、金属氢氧化物和它们的组合。
- 具有光电子器件的照明设备-201480023672.2
- 拉尔夫·维尔特;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔 - 欧司朗股份有限公司
- 2014-04-07 - 2017-10-20 - H01L33/52
- 本发明涉及一种照明设备(1)、即一种封装的LED(2),所述LED嵌入到露出LED(2)的下侧的包覆体(3)中;接触元件(7)在下侧上金属化到LED(2)上,所述接触元件侧向地超出LED(2)并且在宏观层面上实现电接触LED(2),更确切地说,通过面连接、例如焊接实现电接触LED。
- 制造光学半导体装置的方法及用于该方法的有机硅树脂组合物-201480082914.5
- A·匹太;Q·杨;G·H·特米;K·贝克尔;K·长生 - 汉高股份有限及两合公司;汉高知识产权控股有限责任公司
- 2014-10-27 - 2017-08-29 - H01L33/52
- 本发明涉及制造光学半导体装置、特别是LED装置的方法,以及适合用于所述方法中的有机硅树脂组合物。
- 发光装置-201280030969.2
- 山中一彦;吉田真治;泷川信一;片山琢磨;中西秀行;田中毅 - 松下知识产权经营株式会社
- 2012-03-12 - 2017-02-22 - H01L33/52
- 本发明的目的在于提出能够在采用了半导体发光元件与荧光体的发光装置中抑制荧光体的劣化的发光装置,发光装置具备封装(10);安装在封装(10)上的半导体发光元件(5);设置在封装(10)上的盖构件(50);封闭封装(10)与盖构件(50)之间的空间的密封构件(30);含有配置在被封闭的空间中的荧光体的荧光体含有树脂(40)。
- 用于发光二极管的颜色转换基底以及生产其的方法-201580019015.5
- 李起渊;文亨修;吴润锡;金知满;杨春逢 - 康宁精密素材株式会社
- 2015-03-17 - 2016-11-23 - H01L33/52
- 本发明涉及一种发光二极管的颜色转换基底和一种用于生产其的方法,更具体地,涉及一种由于可气密密封而能够完全保护支撑在内部中的量子点(QD)免受外部影响的发光二极管的颜色转换基底以及一种用于生产此颜色转换基底的方法。为此,提供一种发光二极管的颜色转换基底和用于生产颜色转换基底的方法,所述发光二极管的颜色转换基底包括:第一基底和第二基底,位于发光二极管上彼此面对布置;片,具有孔,布置在第一基底与第二基底之间;QD,填充孔;以及密封材料,设置在第一基底与片的下表面之间中以及第二基底与片的上表面之间中,其中,密封材料沿孔的边缘设置,片由允许激光密封密封材料、第一基底和第二基底的物质制成。
- 发光装置以及其制造方法-201480055697.0
- 北野雅阳;三宅浩二;小野高志;幡俊雄 - 夏普株式会社
- 2014-10-06 - 2016-06-08 - H01L33/52
- 发光装置具备:基体(10)、配置于基体(10)的发光元件(50)、和将发光元件(50)密封的密封构件(60)。密封构件(60)至少包含粒子状的红色荧光体(63)。红色荧光体(63)至少包含Mn4+活化氟化物络合荧光体。在密封构件(60)的上表面(70)的至少一部分具有凹凸部(71)。
- 用于改进的化学抗性的发光体器件封装、部件和方法、以及相关方法-201280044022.7
- 林孝本;克勒斯托弗·P·胡赛尔 - 克利公司
- 2012-07-20 - 2014-05-07 - H01L33/52
- 本文提供用于提供改进的化学抗性的发光体封装、部件及相关方法。在一个方面,提供发光体封装的部件。该部件可包括基底材料、至少部分地设置在基底材料上的含银(Ag)的材料、以及至少部分地设置在Ag部分上的含苯基的硅酮封包剂的一部分。该部件可结合于表面安装器件(SMD)类型的发光体封装内。
- 光电组件及其制造方法-201280033032.0
- 韩政男;李宗宪;谢明勋;陈宏萱;刘欣茂;陈星兆;陶青山;倪志鹏;陈泽澎;吴仁钊;佐野雅文;王志铭 - 晶元光电股份有限公司
- 2012-08-09 - 2014-03-26 - H01L33/52
- 一种光电组件(1700),包括光电单元(14)、第一透明结构(16)、以及第一接触层(170)、其中,光电单元(14)具有第一上表面(141)及第一金属层(142)、该第一金属层(142)位于该第一上表面(141)上。第一透明结构(16)围绕该光电单元(14)并曝露该第一上表面(14),第一接触层(170)位于第一透明结构(16)之上,具有连接部(170a)与第一金属层(142)电连接。
- 发光元件制造系统以及制造方法以及发光元件封装制造系统以及制造方法-201280005746.0
- 野野村胜 - 松下电器产业株式会社
- 2012-08-31 - 2013-09-25 - H01L33/52
- 在通过使用包括荧光物质的树脂涂覆LED元件的顶部表面制造发光元件中,在排放以供给树脂在晶片状态下的LED元件上的树脂供给操作中,当光源部分发出的激发光照射在光通过构件上时,树脂被测试供给在光通过构件上,树脂发出的光的发光特征得以测量,且基于测量的结果和事先规定的发光特征,修改适合的树脂供给数量以获得应被供给至用于实际生产的LED元件的适合的树脂供给数量。
- 光电子半导体器件-201180056021.X
- M.施奈德;J.拉姆亨;M.维特曼 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 2011-09-21 - 2013-07-17 - H01L33/52
- 说明了一种光电子半导体器件(100),包括-载体(1),所述载体具有上侧(11)和与上侧(11)相对的下侧(12);-至少一个布置在上侧(11)处的具有辐射出射面(6)的发射辐射的半导体部件(2),在半导体部件(3)运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件(2),和-吸收辐射的层(3),所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件(100)上的环境光,使得器件(100)的背离载体(1)的外面(101)至少局部地显现为黑色,其中-吸收辐射的层(3)在横向方向(L)上完全包围发射辐射的半导体部件(2)并且至少局部地与发射辐射的半导体部件(2)的侧面(23)直接接触,和-辐射出射面(6)无吸收辐射的层(3)。
- 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及其形成方法-201180047417.8
- 蔡曜骏;许镇鹏;林国丰;刘训志;陈继峰;胡鸿烈;孙健仁 - 财团法人工业技术研究院
- 2011-08-03 - 2013-06-26 - H01L33/52
- 一发光二极管芯片、一发光二极管封装结构与上述的形成方法系被提供。所述发光二极管芯片包含一结合层,其具有多个空隙、或发光二极管芯片的外围边界与所述结合层的最小水平距离系大于零。所述发光二极管芯片、所述发光二极管封装结构与所述其形成方法可改善产率及加强发光效率。
- 发光二极管的封装件及其制备方法-201180010276.2
- 尹旋尽;吴光龙;裴允贞 - 首尔半导体株式会社
- 2011-01-24 - 2013-01-30 - H01L33/52
- 本发明涉及一种发光二极管(LED)封装件和一种制造该LED封装件的方法,其中,LED封装件使填充基板的孔或开口的填充材料能够防止形成在基板上的包封剂的树脂泄漏并且增强基板与形成在孔或开口中的树脂部分之间的粘附性。根据本发明的实施例,提供了一种LED封装件,所述LED封装件包括:LED芯片;基板,LED芯片安装在基板上,该基板具有形成在其内的孔或开口;包封剂,形成在基板上以包封LED芯片;树脂部分,填充在孔或开口中;填充材料,填充树脂部分与基板之间的间隙。
- 用于转换发光波长的均匀膜层结构及其形成方法-201080058258.7
- 凌北卿 - 邱罗利士公司
- 2010-12-27 - 2012-12-05 - H01L33/52
- 一种用于转换发光波长的均匀膜层结构及其形成方法,该形成均匀膜层结构的方法包括:提供一对象的第一表面,于该第一表面上形成至少一萤光颗粒层,其中,该萤光颗粒为萤光体粉末或包括萤光体粉末及粘合材料;以及于该萤光颗粒层上形成第一粘固层,以固定该萤光颗粒层,借此使萤光体粉末占据该经粘固各该萤光颗粒的萤光颗粒层75%以上的体积。
- 发光二极管封装件及其制造方法-201080057961.6
- 郑井和 - 首尔半导体株式会社
- 2010-12-10 - 2012-10-03 - H01L33/52
- 本发明提供一种当包围LED芯片的透明壁内侧的填充空间填充有荧光材料时允许荧光材料围绕基体上的LED芯片均匀分布的LED封装件及其制造方法。所述LED封装件包括:基体;至少一个LED芯片,安装在基体上;透明壁,形成在基体上,并且具有围绕LED芯片的填充空间;以及荧光材料,填充所述填充空间,以覆盖LED芯片。
- 半导体发光器件及其封装方法-200980161530.1
- 周明杰;马文波;陈贵堂;时朝璞;乔延波;罗茜 - 海洋王照明科技股份有限公司
- 2009-09-25 - 2012-07-11 - H01L33/52
- 一种发光器件(100),包括基座(202)、封装材料(204)、半导体发光芯片(201)、芯片引线(205)以及一体化的玻璃-荧光粉复合发光结构(107),所述封装材料(204)和复合发光结构(107)封装于半导体发光芯片(201)上,所述复合发光结构(107)覆盖在封装材料(204)上。该半导体发光器件(100)具有较高的发光面积和均匀性,能够有效的防止眩光现象。同时,还具有较高的使用寿命。提供一种半导体发光器件(100)的封装方法。该方法在较低温度下进行,并能提高了复合发光结构(107)的发光性能可靠性和稳定性。
- 发光器件封装件及其制造方法-200980156159.X
- 金镇夏;根井正美;黄硕珉;全忠培 - 三星LED株式会社
- 2009-12-30 - 2012-01-04 - H01L33/52
- 本发明涉及发光器件封装件及其制造方法,该发光器件封装件包括:具有安装表面的基板;接合至基板的安装表面的发光器件;含有高反射材料的光反射树脂部,围绕发光器件填充在基板上,以便延伸到发光器件和基板之间的间隙中;以及密封地覆盖发光器件和光反射树脂部的封装树脂部。
- LED模块的制造方法和LED模块-201080004841.X
- 小早川正彦 - 罗姆股份有限公司
- 2010-01-15 - 2011-12-14 - H01L33/52
- 一种LED模块的制造方法,包括:在引导件(1A’)、(1B’)的表面装载LED芯片(2)的工序;和在装载LED芯片(2)的工序之后,形成覆盖引导件(1A’)、(1B’)的一部分且具有在引导件(1A’)、(1B’)的面内方向上包围LED芯片(2)的反射面(61)的鞘(6)的工序。通过这种结构,没有例如搬运LED芯片(2)的臂与鞘(6)干扰的风险。由此,能够缩小反射面(61)与LED芯片(2)的间隔,能够实现LED模块的小型化。
- 照明系统-200980144486.3
- J·威加特 - IDD航空宇宙公司
- 2009-11-03 - 2011-10-05 - H01L33/52
- 描述了符合夜视成像系统(NVIS)标准的组件。组件的型式将滤光材料(66)加入到发光二极管(LED)管芯(54)的封装体(58)中,避免了使用外部滤光剂的任何需要。替代地或者另外地,滤光材料可以加入到封装的LED(54)的外壳(62)中。
- 对齐的多发光器封装体-201080001658.4
- C·K·A·陈;Y·K·V·刘;X·王;D·埃默森 - 惠州科锐光电有限公司
- 2010-01-08 - 2011-06-01 - H01L33/52
- 本发明披露了一种多元件发光器封装体,用于增加色彩逼真度和散热、改进电流控制、增加封装组件的刚性。在一个实施例中,该封装体包括表面安装器件,提供一壳体,其具有从第一主表面延伸到该壳体内部的空腔。一引线框至少部分地被该壳体包住,该引线框包括多个承载发光器件(LED)线性阵列的导电部。与承载LED的部件分隔开的导电部具有连接焊盘,其中LED与连接焊盘电耦合,诸如通过引线接合。这个引线框设置允许向每一个LED施加相应的电信号。该发光器封装基本上是防水的,并且发光器封装体的阵列可以用于LED显示器中,诸如室内和/或户外的LED屏中。
- 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法-200980110760.5
- 朴准奭;金腾官;申悍 - LG伊诺特有限公司
- 2009-07-21 - 2011-02-23 - H01L33/52
- 本发明提供了发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法。该发光器件包括:电路板,其形成有第一导电图案和与所述第一导电图案电隔离的第二导电图案;发光二极管,其电连接到电路板上的第一导电图案和第二导电图案;第一模制构件,第一模制构件包围所述发光二极管;以及第二模制构件,第二模制构件在所述第一模制构件上。发光二极管包括导电支撑衬底、在导电支撑衬底上的具有凸起中心部分的反射电极层、在反射电极层的外围部分上的保护层、在反射层和保护层上的第二导电半导体层、在第二导电半导体层上的有源层、在有源层上的第一导电半导体层和在第一导电半导体层上的第一电极层。
- 专利分类