[实用新型]硅片精密对准倒片花棒

说明书

技术领域

本实用新型公开了硅片精密对准倒片花棒,涉及硅片倒片流程，属于机械领域。

背景技术

硅片在制造集成电路、太阳能电池之前，需利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割切片时产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠腐蚀硅的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构。由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高，会在硅片表面带来一定的机械损伤。氢氧化钠俗称烧碱，在国民经济生产中大量应用化工产品。由电解食盐水而得，价格比较便宜，每500克6元。化学反应方程式为：2NaCl+2H₂O＝＝通电＝＝2NaOH+Cl₂↑+H₂↑。分析纯氢氧化锂、氢氧化钾也可以与硅起反应，但价格较贵。如氢氧化锂每500克23元，用于镉-镍电池电解液中。碱性腐蚀优点是反应生成物无毒，不污染空气和环境。不像HF-HNO₃酸性系统会生成有毒的NO_X气体污染大气。另外，碱性系统与硅反应，基本处于受控状态。有利于大面积硅片的腐蚀，可以保证一定的平行度。

硅片腐蚀是硅片加工过程中重要的工艺之一，加工过程中要保证硅片腐蚀的速率，硅片表面的腐蚀均匀。通常硅片腐蚀前要进行倒片，是指在硅片制绒前的装片流程，对应的设备是“倒片机”。在大部分半导体衬底制造厂的腐蚀加工中，往往使用人员手动吸取硅片进行插片取片作业。这样存在作业时间相对较长并且在手动作业时引起硅片有擦碰不良。从倒片稳定性出发，当硅片进行旋转倒片时会存在震动，使硅片开裂，造成良品率下降。

现有技术中不具有同时保证硅片腐蚀速率，均匀腐蚀，并减少擦碰，避免不必要震动，保证稳定性的装置。

实用新型内容

针对现有技术中的不足。

硅片精密对准倒片花棒，其特征在于，所述硅片精密对准倒片花棒为圆柱体，两端设有卡口，所述圆柱体上设有槽口，所述槽口为环状凹槽。

所述卡口为圆柱体凸台，设置于圆柱体的中心。

所述槽口为等深环状凹槽，底部为等直径圆柱，两侧为互为镜像的斜坡。

所述圆柱体的直径为30mm，所述槽口底部的圆柱直径为18mm，厚度为1mm，槽口顶部最长距离为3mm，所述槽口上斜坡与径向的夹角为8.15°，所述卡口的直径为12mm。

所述槽口在圆柱体上均匀分布，共有两排，对于圆柱体的中心截面互为镜像。

本实用新型的卡口与腐蚀笼上的卡槽配合，从圆柱体轴向上保证倒片过程中圆柱体与腐蚀笼在轴向上重合；通过槽口对应放置，保证倒片过程中硅片与圆柱体径向位于同一平面。均匀排放为实现自动化精密对准倒转硅片提供前提；对准倒片避免硅片倒转时硅片斜片。通过对硅片的定位与均匀排放，保证硅片腐蚀速率一致，均匀腐蚀；通过调整槽口的大小，牢固固定硅片，减少硅片的震动，保证稳定性，提高良品率。

附图说明

图1为硅片精密对准倒片花棒的立体图；

图2为硅片精密对准倒片花棒的局部示意图；

图中：1、圆柱体，2、卡口，3、槽口。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型做进一步说明。

实施例1：

硅片精密对准倒片花棒为圆柱体1，两端设有卡口2，圆柱体1上设有槽口3，槽口3为环状凹槽。卡口2为圆柱体凸台，设置于圆柱体1的中心。槽口3为等深环状凹槽，底部为等直径圆柱，两侧为互为镜像的斜坡。

圆柱体1的直径为30mm，所述槽口3底部的圆柱直径为18mm，厚度为1mm，槽口3顶部最长距离为3mm，所述槽口3上斜坡与径向的夹角为8.15°，所述卡口2的直径为12mm。槽口3在圆柱体1上均匀分布，共有两排，对于圆柱体1的中心截面互为镜像。

卡口2与腐蚀笼上的卡槽配合，从圆柱体1轴向上保证倒片过程中圆柱体1与腐蚀笼在轴向上重合；通过槽口3对应放置，保证倒片过程中硅片与圆柱体1径向位于同一平面。通过对硅片的定位与均匀排放，保证硅片腐蚀速率一致，均匀腐蚀；通过调整槽口3的大小，牢固固定硅片，减少硅片的震动，保证稳定性，提高良品率。

倒片装置具备4个圆柱体1构成的卡位槽共可以摆放4盒硅片，卡位槽定位与腐蚀笼片槽一致。从径向上保证倒片过程中硅片位于同一平面。倒片装置两侧各有一个定位销，通过套准件的插销。保证圆柱体1与腐蚀笼在轴向上重合。腐蚀笼和花棒的设计充分考量硅片导入腐蚀笼时的稳固性，硅片导入过程中越稳定则倒片时硅片插斜的可能性越小。花棒的设计采用小角度开口。当硅片进行旋转倒片时会存在震动。硅片导入小角度花棒槽口2时，因花棒设计夹角较小对硅片会产生夹片效应(硅片进入小角度花棒槽口时震动幅度受到显著限制)，如果换成大角度花棒硅片在导入的过程中震动幅度较大，容易导致硅片滑入相邻一槽从而导致斜槽。