[发明专利]低成本图形化厚银膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510868665.9 申请日: 2015-12-01
公开(公告)号: CN105463536B 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 王博;宋正锡;杨卓青;汪红;丁桂甫;程萍 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C25D5/02 分类号: C25D5/02;C25D3/46
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 徐红银;郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 低成本 图形 化厚银膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低成本图形化厚银膜的制备方法,所述方法包括如下步骤:

(1)先用碳酸钙清洗玻璃片表面,将玻璃片依次进行清水超声、弱碱超声、清水超声、铬酸超声、清水超声,烘干处理后得到干净的玻璃片;

(2)在清洗干净的玻璃片上溅射Cr/Cu种子层,依次进行甩正光刻胶、烘胶、曝光、显影处理,根据设计的掩膜版形状,实现光刻胶结构的图形化;

(3)将已经图形化的种子层放入酸性或中性银电镀液中,采用直流电镀,然后除去光刻胶和种子层,即得到图形化的厚度达到微米量级的厚银膜;

步骤(2)中,所述的Cr/Cu种子层中:Cr的厚度为20~30nm,Cu的厚度为80~100nm;

步骤(3)中,所述除去光刻胶,具体为:采用浓度为10~50g/L的NaOH溶液,正胶的厚度为5~10μm,去除时间为1~3min;

步骤(3)中,所述酸性或中性银电镀液,包括:硫代硫酸钠175~300g/L,硝酸银25~50g/L,焦亚硫酸钾35~50g/L,醋酸铵20~30g/L,硫代氨基脲0.7g/L,pH值为5~6.5;

步骤(3)中,所述的直流电镀,条件是:平均电流密度为1~10mA/cm2,温度为20~35℃,搅拌速度50~250r/min;

2.根据权利要求1所述的低成本图形化厚银膜的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,电镀得到的镀银层,厚度为几微米到几十微米。

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