[发明专利]图形化衬底、制备方法及发光二极管

权利要求书

1.图形化衬底，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面均匀分布有复数个凸起，所述各个凸起之间具有间隙，其特征在于：所述凸起表面沉积有介质层，所述凸起间隙的表面无所述介质层；所述介质层的表面及所述凸起间隙的表面沉积有氮化铝层，所述介质层表面的氮化铝层抑制图形化衬底表面的侧向外延生长。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述凸起间隙表面的氮化铝层比所述介质层表面的氮化铝层更易于生长氮化镓基材料。

3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于：所述凸起表面上的氮化铝层为非晶态层，所述凸起间隙表面上的氮化铝层为由微小晶粒组成的多晶态层。

4.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述相邻凸起间距为50nm~5000nm。

5.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述介质层厚度为1nm~200nm。

6.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述氮化铝层厚度为1nm~200nm。

7.一种图形化衬底的制备方法，包括如下步骤：

S1、提供一具有平坦表面的衬底，于所述平坦表面制备复数个均匀分布的凸起，各个凸起之间具有间隙；

S2、在经过上述处理的衬底表面上形成介质层，其仅覆盖在所述凸起的表面上，未覆盖所述凸起间隙的表面；

S3、于所述介质层的表面上和所述凸起间隙的表面上沉积氮化铝层，构成图形化衬底，所述介质层表面的氮化铝层抑制图形化衬底表面的侧向外延生长，降低外延层正向生长合并时的晶体缺陷。

8.根据权利要求7所述的图形化衬底的制备方法，其特征在于：所述步骤S2通过下面方法形成：

在经过步骤S1处理的衬底表面上形成介质层，其覆盖所述凸起的表面及所述凸起间隙的表面；

在所述介质层表面涂布光阻，利用刻蚀技术去除所述凸起间隙表面的光阻和介质层，保留所述凸起表面的光阻和介质层；

去除所述凸起表面的光阻，形成凸起表面具有介质层、而凸起间隙表面无介质层的衬底。

9.根据权利要求7所述的一种降低晶体缺陷的图形化衬底的制备方法，其特征在于：所述介质层厚度为1nm~200nm。

10.根据权利要求7所述的一种降低晶体缺陷的图形化衬底，其特征在于：所述氮化铝层厚度为1nm~200nm。

11.发光二极管，包括图形化衬底和形成于所述图形化衬底上的发光外延叠层，所述图形化衬底具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面均匀分布有复数个凸起，所述各个凸起之间具有间隙，所述凸起表面沉积有介质层，所述凸起间隙的表面无所述介质层；所述介质层的表面及所述凸起间隙表面沉积有氮化铝层，所述介质层表面的氮化铝层抑制图形化衬底表面的侧向外延生长。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起表面上的氮化铝层为非晶态层，所述凸起间隙表面上的氮化铝层为由微小晶粒组成的多晶态层。

13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述发光外延叠层选择性生长于所述凸起间隙表面上的氮化铝层。