[发明专利]一种三维集成器件的制备方法

权利要求书

1.一种三维集成器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待集成的晶圆，且所述晶圆中制备有功能芯片；

于所述晶圆的上表面按照从下至上顺序依次沉积保护层和缓冲层；

于所述缓冲层以及所述保护层中制备屏蔽标记后，于所述缓冲层之上沉积屏蔽薄膜；

根据所述屏蔽标记去除多余的所述屏蔽薄膜后，于所述缓冲层之上形成屏蔽层；

将至少两片所述待集成的晶圆进行三维集成，以利用所述屏蔽层屏蔽相邻的晶圆中设置的所述功能芯片之间的串扰。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述保护层和缓冲层之前，还包括以下步骤：

于所述晶圆的上表面设置有所述功能芯片的区域制备金属连线层，以将所述功能芯片利用金属连线引出，并对所述金属连线层进行平坦化工艺；

继续于所述平坦化的晶圆表面沉积所述保护层和缓冲层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，制备所述屏蔽标记的具体工艺为：

利用微影技术刻蚀所述缓冲层和所述保护层至所述晶圆表面，以形成所述屏蔽标记。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶圆还包括：

切割道，分布于所述晶圆的边缘区域且包围所述功能芯片，所述屏蔽标记制备位于所述切割道中。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽层为金属材质。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为氧化硅。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

于所述缓冲层之上沉积屏蔽薄膜后，根据所述屏蔽标记采用微影技术刻蚀去除多余的所述屏蔽薄膜后，对应所述功能芯片的位置形成覆盖在所述缓冲层上的屏蔽层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，三维集成的相邻两片晶圆之间至少制备有一层所述屏蔽层，以利用所述屏蔽层屏蔽相邻的晶圆中设置的所述功能芯片之间的串扰。