[发明专利]具有电容耦合的接合焊盘的功率晶体管管芯

权利要求书

1.一种功率晶体管管芯，包括：

形成在半导体本体中的晶体管，所述晶体管包括栅极端子、第一输出端子和第三端子，所述栅极端子控制所述第一输出端子和所述第三端子之间的导电通道；

布置在所述半导体本体上并通过介电材料与所述半导体本体分离的结构化的第一金属层，所述结构化的第一金属层连接到所述晶体管的所述第一输出端子；和

布置在所述半导体本体上并通过介电材料与所述半导体本体分离的第一接合焊盘，所述第一接合焊盘形成所述功率晶体管管芯的第二输出端子并与所述晶体管流电隔离且仅通过介电材料来电容耦合到所述结构化的第一金属层以便在所述晶体管的所述第一输出端子和所述第一接合焊盘之间形成串联电容。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管管芯，其中所述第一接合焊盘布置在所述结构化的第一金属层的一部分上方并且与所述结构化的第一金属层的一部分重叠，并且其中所述第一接合焊盘通过在所述第一接合焊盘和所述结构化的第一金属层之间的重叠区域中填充所述第一接合焊盘和所述结构化的第一金属层之间的间隙的介电材料的部分来电容耦合到所述结构化的第一金属层。

3.根据权利要求2所述的功率晶体管管芯，进一步包括：

布置在所述半导体本体上并与所述半导体本体绝缘以及与所述第一接合焊盘间隔开的第二接合焊盘，所述第二接合焊盘与所述第一接合焊盘流电隔离并形成所述功率晶体管管芯的DC偏置端子并且通过导电路径连接到所述结构化的第一金属层。

4.根据权利要求3所述的功率晶体管管芯，其中所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘布置在相同的平面内，其中所述第二接合焊盘与不同于所述第一接合焊盘的所述结构化的第一金属层的一部分重叠，并且其中所述第二接合焊盘通过多个导电通孔连接到所述结构化的第一金属层，所述多个导电通孔在所述第二接合焊盘和所述结构化的第一金属层之间的重叠区域中在所述第二接合焊盘和所述结构化的第一金属层之间延伸。

5.根据权利要求1所述的功率晶体管管芯，其中所述第一接合焊盘布置在与所述结构化的第一金属层相同的平面内并且与所述结构化的第一金属层间隔开，所述功率晶体管管芯进一步包括：

布置在所述半导体本体上并通过介电材料与所述半导体本体分离的第二金属层，所述第二金属层部分地布置在所述结构化的第一金属层下方以及部分地布置在所述第一接合焊盘下方，使得所述结构化的第一金属层与所述第二金属层的第一部分重叠并且所述第一接合焊盘与所述第二金属层的第二部分重叠；和

将所述结构化的第一金属层连接到所述第二金属层的所述第一部分的多个导电通孔，

其中所述第一接合焊盘通过在所述第一接合焊盘和所述第二金属层之间的重叠区域中填充所述第一接合焊盘和所述第二金属层的所述第二部分之间的间隙的介电材料的部分来电容耦合到所述第二金属层。

6.根据权利要求5所述的功率晶体管管芯，进一步包括：

布置在所述半导体本体上并通过介电材料与所述半导体本体分离以及与所述第一接合焊盘流电隔离的第二接合焊盘，所述第二接合焊盘形成所述功率晶体管管芯的DC偏置端子并且通过导电路径连接到所述结构化的第一金属层。

7.根据权利要求6所述的功率晶体管管芯，其中所述第二接合焊盘和所述结构化的第一金属层在相同的平面内，以及其中所述第二接合焊盘和所述结构化的第一金属层具有单一连续结构。

8.根据权利要求1所述的功率晶体管管芯，进一步包括：

布置在所述半导体本体上并通过介电材料与所述半导体本体分离以及与所述第一接合焊盘流电隔离的第二接合焊盘，所述第二接合焊盘形成所述功率晶体管管芯的DC偏置端子并且通过导电路径连接到所述结构化的第一金属层。

9.根据权利要求1所述的功率晶体管管芯，其中所述晶体管是RF晶体管。