[发明专利]用于将复合体分割成半导体芯片的方法和半导体芯片

说明书

技术领域

本申请涉及一种用于将复合体分割成多个半导体芯片的方法以及这样的半导体芯片。

背景技术

为了将半导体晶片分割成半导体芯片可以应用不同的方法，其特别是切开衬底材料。然而，大多分割方法的效率强烈地依赖于要切开的材料。

发明内容

任务在于说明一种简单并且可靠的分割方法。此外应该说明一种半导体芯片，其能够简化地被制造。

该任务特别是通过根据本发明的方法或根据本发明的半导体芯片来解决。设计方案和适宜方案在不同的实施方式中予以描述。

说明一种用于将复合体分割成多个半导体芯片的方法。

根据方法的至少一种实施方式，提供复合体。该复合体在第一主面和第二主面之间以垂直的方向延伸。特别是沿着分割图案进行分割。

例如可以网格形地构造分割图案。然而，分割不必一定沿着直地延伸的线进行。更确切地说，通过分割也可以形成以下半导体芯片，所述半导体芯片的在分割时形成的侧面至少区域地弯曲或具有至少一个弯曲。

根据方法的至少一种实施方式，复合体具有载体。载体例如包含半导体材料、例如硅、锗、磷化镓或砷化镓或由这样的材料构成。载体可以导电地或电绝缘地构造。

根据方法的至少一种实施方式，复合体具有半导体层序列。半导体层序列例如外延地、例如借助MOCVD或MBE沉积。半导体层序列可以沉积在载体上或与载体不同的生长衬底上。例如半导体层序列包含被设置用于产生辐射和/或接收辐射的有源区域。

例如半导体层序列、特别是有源区域包含III-V化合物半导体材料。III-V化合物半导体材料适合于紫外（Al_xIn_yGa_1-x-yN）、经过可见的（Al_xIn_yGa_1-x-yN，特别是用于蓝色至绿色辐射，或者Al_xIn_yGa_1-x-yP，特别是用于黄色至红色辐射）、直至红外（Al_xIn_yGa_1-x-yAs）光谱范围中的辐射产生。在此分别适用的是0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1，特别是具有x≠1，y≠1，x≠0和/或y≠0。此外，利用特别是所提及的材料系统中的III-V化合物半导体材料在辐射产生中可以实现高的内部量子效率。

第一主面特别是位于半导体层序列的背向载体的侧上。相应地，第二主面特别是位于载体的背向半导体层序列的侧上。

根据方法的至少一种实施方式，复合体具有功能层。功能层可以单层或多层地构造。功能层可以具有金属层和/或介电层。例如功能层或其子层与半导体层序列导电连接。功能层此外可以被构造为要在半导体层序列中产生或探测的辐射的镜层。例如针对该辐射的反射率至少为60％。

根据方法的至少一种实施方式，在载体中特别是沿着分割图案构造分离槽。在分割的半导体芯片中，分离槽的侧面特别是构成在横向的方向上限制半导体芯片的侧面。

横向方向被理解为沿着半导体层序列的半导体层的主延伸平面伸展的方向。

根据一种实施变型，在构造分离槽时已经在半导体层序列中构造台面槽。台面槽限定来自于半导体层序列的各个半导体本体。例如台面槽完全穿过半导体层序列延伸。换句话说，半导体层序列在构造分离槽时已经被切开。因此分割图案在复合体的俯视图中沿着台面槽伸展。相应地，分离槽的构造沿着台面槽进行。

根据一种替代的设计方案变型，在载体中构造分离槽时也至少部分地切开半导体层序列。之后分割的半导体芯片的各个半导体本体和载体本体因此在共同的制造步骤中被限定。

根据方法的至少一种实施方式，功能层借助相干辐射特别是沿着分割图案来切开。功能层的切开可以在构造分离槽之前或之后进行。作为辐射源适合的例如是以脉冲运行的、特别是具有最高100ps、优选地最高10ps的脉冲时长的激光。这样短的激光脉冲的特征在于特别小的材料选择性。因此材料剥除尽可能地不依赖于功能层的材料或功能层的各个子层地进行。

被分割的半导体芯片特别是分别具有半导体层序列、载体和功能层的一部分。

在方法的至少一种实施方式中，提供复合体，该复合体具有载体、半导体层序列和功能层并且被设置用于沿着分割图案来分割。在载体中沿着分割图案来构造分离槽。功能层借助相干辐射沿着分割图案被切开。从复合体切割的半导体芯片分别具有半导体层序列、载体和功能层的一部分。