[发明专利]用于将复合体分割成半导体芯片的方法和半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201480045143.2 申请日: 2014-07-30
公开(公告)号: CN105431252B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: M.肯普夫 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;B23K26/53;B23K101/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 卢江,张涛
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 复合体 分割 半导体 芯片 方法
【权利要求书】:

1.用于沿着分割图案(15)将复合体(1)分割成多个半导体芯片(10)的方法,具有以下步骤:

a)提供复合体,所述复合体具有载体(4)、半导体层序列(2)和功能层(3);

b)借助化学方法在载体中沿着分割图案构造分离槽(45);以及

c)借助相干辐射沿着分割图案切开功能层;

其中被分割的半导体芯片分别具有半导体层序列、载体和功能层的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法,

其中功能层具有金属层和/或介电层并且其中载体包含半导体材料。

3.根据权利要求1所述的方法,

其中功能层被布置在半导体层序列和载体之间。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法,

其中功能层在步骤c)之前整面地在复合体上延伸。

5.根据权利要求1至3之一所述的方法,

其中分离槽借助等离子体分离方法来构造。

6.根据权利要求1至3之一所述的方法,

其中分离槽在步骤b)之后完全穿过载体延伸。

7.根据权利要求1至3之一所述的方法,

其中步骤c)在步骤b)之后执行。

8.根据权利要求7所述的方法,

其中相干辐射在步骤c)中穿过分离槽射到功能层上。

9.根据权利要求1至3之一所述的方法,

其中步骤c)在步骤b)之前被执行。

10.根据权利要求1至3之一所述的方法,

其中复合体具有另外的功能层(35),所述另外的功能层在步骤d)中借助相干辐射沿着分割图案被切开,并且其中步骤b)在步骤c)和步骤d)之间被执行。

11.根据权利要求1至3之一所述的方法,

其中复合体在分割之前被固定在辅助载体(5)上,并且半导体芯片在分割之后以几何次序存在于辅助载体上。

12.根据权利要求1至3之一所述的方法,

其中功能层在步骤c)中仅仅部分地沿着分割图案被切开,使得复合体的至少一个区域在步骤b)和步骤c)之后具有多个连续的半导体芯片。

13.具有在垂直方向上相叠布置的半导体本体(20)、载体本体(40)和功能层(3)的半导体芯片(10),其中功能层在半导体芯片的至少一个侧面(101)上具有由于相干辐射所致的材料剥除的痕迹(30)并且其中载体本体具有化学材料剥除的条纹状的结构。

14.根据权利要求13所述的半导体芯片,其中功能层被布置在载体本体和半导体本体之间。

15.根据权利要求14所述的半导体芯片,其中在载体本体的背向半导体本体的侧上布置有另外的功能层,其中另外的功能层在半导体芯片的至少一个侧面(101)上具有由于相干辐射所致的材料剥除的痕迹。

16.根据权利要求13至15之一所述的半导体芯片,所述半导体芯片根据权利要求1至3之一所述的方法来制造。

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