[发明专利]用于将复合体分割成半导体芯片的方法和半导体芯片有效
申请号: | 201480045143.2 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN105431252B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | M.肯普夫 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/53;B23K101/40 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 卢江,张涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 复合体 分割 半导体 芯片 方法 | ||
1.用于沿着分割图案(15)将复合体(1)分割成多个半导体芯片(10)的方法,具有以下步骤:
a)提供复合体,所述复合体具有载体(4)、半导体层序列(2)和功能层(3);
b)借助化学方法在载体中沿着分割图案构造分离槽(45);以及
c)借助相干辐射沿着分割图案切开功能层;
其中被分割的半导体芯片分别具有半导体层序列、载体和功能层的一部分。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中功能层具有金属层和/或介电层并且其中载体包含半导体材料。
3.根据权利要求1所述的方法,
其中功能层被布置在半导体层序列和载体之间。
4.根据权利要求1至3之一所述的方法,
其中功能层在步骤c)之前整面地在复合体上延伸。
5.根据权利要求1至3之一所述的方法,
其中分离槽借助等离子体分离方法来构造。
6.根据权利要求1至3之一所述的方法,
其中分离槽在步骤b)之后完全穿过载体延伸。
7.根据权利要求1至3之一所述的方法,
其中步骤c)在步骤b)之后执行。
8.根据权利要求7所述的方法,
其中相干辐射在步骤c)中穿过分离槽射到功能层上。
9.根据权利要求1至3之一所述的方法,
其中步骤c)在步骤b)之前被执行。
10.根据权利要求1至3之一所述的方法,
其中复合体具有另外的功能层(35),所述另外的功能层在步骤d)中借助相干辐射沿着分割图案被切开,并且其中步骤b)在步骤c)和步骤d)之间被执行。
11.根据权利要求1至3之一所述的方法,
其中复合体在分割之前被固定在辅助载体(5)上,并且半导体芯片在分割之后以几何次序存在于辅助载体上。
12.根据权利要求1至3之一所述的方法,
其中功能层在步骤c)中仅仅部分地沿着分割图案被切开,使得复合体的至少一个区域在步骤b)和步骤c)之后具有多个连续的半导体芯片。
13.具有在垂直方向上相叠布置的半导体本体(20)、载体本体(40)和功能层(3)的半导体芯片(10),其中功能层在半导体芯片的至少一个侧面(101)上具有由于相干辐射所致的材料剥除的痕迹(30)并且其中载体本体具有化学材料剥除的条纹状的结构。
14.根据权利要求13所述的半导体芯片,其中功能层被布置在载体本体和半导体本体之间。
15.根据权利要求14所述的半导体芯片,其中在载体本体的背向半导体本体的侧上布置有另外的功能层,其中另外的功能层在半导体芯片的至少一个侧面(101)上具有由于相干辐射所致的材料剥除的痕迹。
16.根据权利要求13至15之一所述的半导体芯片,所述半导体芯片根据权利要求1至3之一所述的方法来制造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造