[发明专利]形成集成电路冷却系统的选择性焊料密封连接结构的方法

权利要求书

1.一种在连接结构中形成冷却通道以焊接到半导体结构的方法，包括：

在基板的表面上形成种晶层；

将所述种晶层图案化为覆盖所述基板的某些部分且暴露基板的其它部分的图案化的镀覆用种晶层；

在所述图案化的镀覆用种晶层中形成穿过所述基板的暴露部分的通道；以及

用焊料镀覆所述图案化的镀覆用种晶层。

2.根据权利要求1所述的方法，包括将所述连接结构的镀覆用种晶层上的焊料焊接到半导体结构。

3.根据权利要求1所述的方法，包括将所述连接结构附连到流体冷却换热器。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述换热器在其中具有通道并且所述换热器的通道与所述连接结构的通道对齐。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述换热器被附连到所述连接结构的一个表面并且所述半导体结构被焊接到所述连接结构的相反表面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述换热器被焊接到所述连接结构。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述换热器被离子键合到所述连接结构。

8.一种在连接结构中形成冷却通道以焊接到半导体结构的方法，包括：

在基板的表面上形成种晶层；

以光刻形式形成第一材料的图案化层，所述第一材料的图案化层在其中具有暴露种晶层的被选区域的窗口；

在种晶层的表面的、位于第一材料的窗口中的各部分上形成蚀刻剂掩膜；

除去第一材料，留下位于种晶层该表面的那些部分上的蚀刻剂掩膜；

利用所述蚀刻剂掩膜，将蚀刻剂施加到所述蚀刻剂掩膜，以：

蚀刻种晶层的暴露部分而形成镀覆用掩膜，以及

蚀刻位于下面的基板部分的上面部分，留下位于下面的基板部分的下面部分；

利用所述蚀刻剂掩膜，除去基板的表面在基板的下面部分和基板的位于蚀刻剂掩膜下面的相邻部分之间的部分，在基板的下面部分和基板的位于蚀刻剂掩膜下面的相邻部分之间形成穿过基板的狭槽；

除去所述蚀刻剂掩膜，留下种晶层的未蚀刻部分作为设置于基板上的图案化的镀覆用种晶层；

将焊料镀覆在所述图案化的镀覆用种晶层上。

9.根据权利要求8所述的方法，包括将所述连接结构上的焊料焊接到半导体结构。

10.根据权利要求8所述的方法，包括将所述连接结构附连到流体冷却换热器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述换热器在其中具有通道并且所述换热器的通道与所述连接结构的通道对齐。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述换热器被附连到所述连接结构的一个表面并且所述半导体结构被焊接到所述连接结构的相反表面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述换热器被焊接到所述连接结构。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述换热器被离子键合到所述连接结构。

15.一种包括位于半导体结构和换热器之间的连接结构的组合结构，包括：

半导体结构；

具有多个换热器冷却通道的换热器；

设置于半导体结构和换热器之间的连接结构，所述连接结构具有与所述多个换热器冷却通道对齐的多个连接结构通道，所述连接结构包括：

导热基板；

设置于所述导热基板上的种晶层；

其中，所述连接结构通道穿过所述导热基板和所述种晶层；和

镀覆在所述种晶层上的焊料层。