[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201420348295.7 | 申请日: | 2014-06-26 |
公开(公告)号: | CN203910779U | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 荻野博之;渡部友宏 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体装置,特别涉及面安装于电路基板等的半导体装置。
背景技术
半导体装置具备:引线框架,其具备芯片承载(die pad);半导体芯片,其搭载在芯片承载上;以及树脂封装体,其将半导体芯片封装起来,在该半导体装置中,树脂封装体覆盖芯片承载的上表面和半导体芯片,并使芯片承载的下表面露出于封装体的下表面。由此,能够提高散热性。并且,在将半导体装置面安装于电路基板时,芯片承载的下表面被作为半导体装置和电路基板之间的电连接区域来使用。
此外,作为现有技术,已知有具备多个焊垫(芯片承载)并使背面露出到树脂模制部(树脂封装体)的外部的半导体装置(例如,参照专利文献1,图1、图2)。由此,能够成为搭载有保证温度彼此不同的多个半导体芯片的面安装型半导体装置。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2008-187101号公报
通常,在将半导体装置的背面面安装到电路基板等的情况下,使用焊锡等接合材料,一边利用热回流装置等进行加热一边使焊锡熔融。根据现有技术,能够利用多个芯片承载搭载多个半导体芯片。
然而,存在以下课题:当焊锡熔融时,担心剩余的焊锡与相邻的芯片承载的焊锡或者芯片承载接触而发生电短路。
实用新型内容
因此,本实用新型正是为了解决上述的课题而完成的,其目的在于提供一种面安装型半导体装置,防止了剩余的焊锡与相邻的芯片承载的焊锡或者相邻的芯片承载接触而发生电短路。
为了解决上述的课题,本实用新型为以下记载的结构。
本实用新型的半导体装置具备:芯片承载;半导体芯片,其搭载于所述芯片承载的一个主面;端子,其与所述半导体芯片电连接;以及树脂封装体,其覆盖所述半导体芯片、所述芯片承载和所述端子,所述芯片承载的另一主面从所述树脂封装体的主面露出,所述半导体装置的特征在于,所述芯片承载具备焊锡引导路,所述焊锡引导路与所述芯片承载连结并且朝向所述树脂封装体的侧面延伸,所述焊锡引导路的端部和主面分别从所述树脂封装体的侧面和所述树脂封装体的主面露出。
本实用新型的半导体装置的特征在于,所述端子在所述树脂封装体的第一侧面侧露出,所述焊锡引导路从所述树脂封装体的与第一侧面相交的第二侧面露出。
本实用新型的半导体装置具备:第一芯片承载和第二芯片承载,它们彼此隔开间隔地配置;端子,其与所述第一芯片承载和所述第二芯片承载相邻地配置;以及树脂封装体,其覆盖所述第一芯片承载、第二芯片承载和所述端子,所述第一芯片承载和所述第二芯片承载的主面从所述树脂封装体的主面露出,所述半导体装置的特征在于,所述端子在所述树脂封装体的第一侧面侧露出,所述第一芯片承载具备第一焊锡引导路,所述第一焊锡引导路与该第一芯片承载连结并且该第一焊锡引导路的主面从所述树脂封装体的所述主面露出,所述第二芯片承载具备第二焊锡引导路,所述第二焊锡引导路与该第二芯片承载连结并且该第二焊锡引导路的主面从所述树脂封装体的所述主面露出,所述第一焊锡引导路向远离所述第二芯片承载的方向延伸,并从所述树脂封装体的与所述第一侧面相交的第二侧面露出,所述第二焊锡引导路向远离所述第一芯片承载的方向延伸,并从所述树脂封装体的与所述第二侧面对置的第三侧面露出。
实用新型效果
本实用新型如上述那样构成,因此起到以下效果:能够提供一种降低了由焊锡导致的电短路的半导体装置。
附图说明
图1是本实用新型的实施例1的半导体装置的俯视透视图。
图2是本实用新型的实施例1的半导体装置的剖视侧视图。
图3是示出本实用新型的实施例1的半导体装置的面安装状态的说明图。
图4是本实用新型的变形例1的半导体装置的仰视图。
图5是本实用新型的变形例2的半导体装置的芯片承载的状态图。
图6是本实用新型的变形例3的半导体装置的端子的状态图。
标号说明
1:半导体装置;2:引线框架;3:芯片承载;4:端子;5:半导体芯片;6:导线;7:树脂封装体;8:倒角部;9:焊锡引导路;10:台阶部;11:端子末端部;12:电路基板;13:接合材料。
具体实施方式
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