[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410822182.0 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104576762B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;刘可安;吴煜东;杨勇雄;史晶晶;蒋华平;唐龙谷;赵艳黎;吴佳 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 朱绘;张文娟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 低掺杂 高掺杂 衬底 半导体技术领域 欧姆接触电极 肖特基接触 高掺杂区 高频电路 开启电压 电极 制造 应用 | ||
1.一种肖特基势垒二极管，包括：
N型碳化硅衬底；
位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；
位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；
位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；
位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；
位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极；
其中，所述高掺杂N型外延层的掺杂浓度比所述低掺杂N型外延层的掺杂浓度高一个数量级以上，高掺杂N型外延层的掺杂浓度为1016原子/cm3量级至1017原子/cm3量级，所述高掺杂N型外延层的厚度设置为10纳米以下，小于电子平均自由程，所述P型高掺杂区的掺杂浓度为1018原子/cm3量级至1019原子/cm3量级。
2.一种肖特基势垒二极管的制造方法，包括：
在N型碳化硅衬底上形成低掺杂N型外延层；
在所述低掺杂N型外延层上形成高掺杂N型外延层；
在所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延中形成P型高掺杂区；
在所述高掺杂N型外延层上形成肖特基接触电极；
在所述N型碳化硅衬底下方形成欧姆接触电极；
其中，所述高掺杂N型外延层的掺杂浓度比所述低掺杂N型外延层的掺杂浓度高一个数量级以上，所述高掺杂N型外延层的掺杂浓度为1016原子/cm3量级至1017原子/cm3量级，所述高掺杂N型外延层的厚度设置为10纳米以下，小于电子平均自由程，所述P型高掺杂区的掺杂浓度为1018原子/cm3量级至1019原子/cm3量级。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述低掺杂N型外延层上形成高掺杂N型外延层，具体为：
通过外延生长工艺，在所述低掺杂N型外延层上形成高掺杂N型外延层。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述低掺杂N型外延层上形成高掺杂N型外延层，具体为：
通过离子注入工艺，在所述低掺杂N型外延层上形成高掺杂N型外延层。
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