[发明专利]一种半导体制作方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体制作方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一半导体膜堆叠，该半导体膜堆叠具有一第一氧化层、一停止层，该停止层覆盖该第一氧化层；

形成多个聚合物，该些聚合物接近该停止层的一上表面，该些聚合物作用以抑制该停止层的蚀刻，从而避免蚀刻穿透出过深的深度至该停止层，并且避免一底部蚀刻关键尺寸的缩小。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中提供该停止层的步骤包括提供一种包括一个或多个多晶硅、氧化物以及掺杂一个或多个碳与硼的氮化硅的停止层。

3.一种半导体制作方法，以形成高深宽比的沟槽于半导体膜堆叠中，其特征在于其包括以下步骤：

提供多个多晶硅和/或氧化物层于一介电层上，该介电层位于一基板上；

配置一停止层与该些多晶硅和/或氧化物层的一底部接触，且该停止层具有不同于该些多晶硅和/或氧化物层的该底部的一组成，以使该停止层位于该些多晶硅和/或氧化物层与该介电层之间；以及

实施一等离子体蚀刻以在该些多晶硅和/或氧化物层中形成多个沟槽，该实施步骤有效维持该些沟槽的一底部蚀刻关键尺寸的大小，且该实施步骤在该停止层中并不产生一凹槽或在该停止层中产生可忽略的一凹槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于其中实施该等离子体蚀刻产生一凹槽，该凹槽在该些多晶硅和/或氧化物层的该底部向下地延伸一距离，该距离小于当该停止层不存在时实施该等离子体蚀刻所产生的一距离。

5.一种半导体制作方法，以形成具有高深宽比的沟槽的半导体装置，其特征在于其包括以下步骤：

提供一停止层；

提供交替的多个氧化物/多晶硅层，该些氧化物/多晶硅层配置于该停止层上；

使用一等离子体过度蚀刻，以在该停止层上形成该些沟槽，该等离子体与该停止层反应以形成一个或多个聚合物，该或该些聚合物限制该过度蚀刻的范围，从而避免在该停止层中形成一凹槽，其中该过度蚀刻是用以维持该些沟槽的一底部蚀刻关键尺寸的大小。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于其中该停止层是由一碳掺杂材料所形成。

7.一种半导体装置，其特征在于其包括多个堆叠条，其中各个堆叠条包括：

一底部停止层；

一个或多个介电层；以及

一个或多个导电层，该些介电层与该些导电层交替排列形成于该底部停止层上。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于其中该底部停止层包括一个或多个多晶硅、氧化硅以及掺杂一或多个碳与硼的氮化硅。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于其中：

该介电层包括氧化物；以及

该导电层包括多晶硅。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于其还包括一聚合物材料，配置于该些堆叠条之间的该底部停止层的上方区域中。