[发明专利]高压半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：

一基板；

一外延层，设于该基板上且具有第一导电型；

一栅极结构，设于该外延层上；

一源极区及一漏极区，分别设于该栅极结构两侧的该外延层内；

多个绝缘凸块，设于该栅极结构及该漏极区之间，其中越靠近该漏极区的该绝缘凸块的高度越高；以及

一堆叠结构，设于该栅极结构及该漏极区之间，且该堆叠结构顺应性覆盖部分该绝缘凸块，其中该堆叠结构包括：

一阻挡层；

一绝缘层，设于该阻挡层上；以及

一导电层，设于该绝缘层上，且电连接该源极区或该栅极结构，其中该导电层具有位于该栅极结构上的一第一部分、位于最靠近该漏极区的该绝缘凸块上的一第二部分及位于该第一部分及该第二部分之间的一第三部分，其中该第二部分高于该第一部分。

2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，还包括：

一高压阱，设于该外延层内，且具有第二导电型，其中该第一导电型与该第二导电型相异；

一第一导电型掺杂区，设于该高压阱内，其中该源极区设于该第一导电型掺杂区内，而该漏极区设于该高压阱内。

3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该绝缘凸块的材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、或上述的组合。

4.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该堆叠结构顺应性覆盖部分该栅极结构。

5.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该导电层通过一第一内连线结构电连接该栅极结构，且该导电层与该源极区电性绝缘。

6.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该导电层通过一第一内连线结构电连接该源极区，且该导电层与该栅极结构电性绝缘。

7.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该阻挡层的材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、或上述的组合。

8.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该绝缘层的材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、低介电常数材料、或上述的组合。

9.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该导电层的材料包括金属、金属氧化物、金属氮化物、金属合金、金属硅化物、或上述的组合。

10.一种高压半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一外延层于该基板上，且该外延层具有第一导电型；

形成一栅极结构于该外延层上；

形成一源极区及一漏极区，该源极区及该漏极区分别设于该栅极结构两侧的该外延层内；

于形成该栅极结构前，形成多个绝缘凸块于该栅极结构及该漏极区之间，其中越靠近该漏极区的该绝缘凸块的高度越高；

形成一堆叠结构于该栅极结构及该漏极区之间，且该堆叠结构顺应性覆盖部分该绝缘凸块，其中该堆叠结构包括：

一阻挡层；

一绝缘层，设于该阻挡层上；以及

一导电层，设于该绝缘层上，且电连接该源极区或该栅极结构，其中该导电层具有位于该栅极结构上的一第一部分、位于最靠近该漏极区的该绝缘凸块上的一第二部分及位于该第一部分及该第二部分之间的一第三部分，其中该第二部分高于该第一部分。

11.如权利要求10所述的高压半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成该栅极结构之前，形成一高压阱于该外延层内，且该高压阱具有第二导电型，其中该第一导电型与该第二导电型相异；以及

在形成该源极区之前，形成一第一导电型掺杂区于该高压阱内，其中该源极区设于该第一导电型掺杂区内，而该漏极区设于该高压阱内。

12.如权利要求10所述的高压半导体装置的制造方法，其特征在于，该绝缘凸块的材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、或上述的组合。