[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形，形成在所述源漏电极线图形和像素电极图形之上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层之上的公共电极图形；其中，

所述第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口，所述公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述条状开口分布在源漏电极线的两侧，所述延伸部分覆盖在各个条状开口邻近源漏电极线的长侧壁上，并与位于源漏电极线上方的主体部分连接形成半封闭结构。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：基底、形成在基底上的栅电极图形、形成在所述基底和所述栅电极图形上的第二绝缘层，形成在所述第二绝缘层上的有源层；所述源漏电极线图形和所述像素电极图形形成在所述有源层上。

4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的阵列基板。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形之上形成第一绝缘层；所述第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口；

形成公共电极图形；所述公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形之上以及所述源漏电极线图形和所述像素电极图形之间形成第一绝缘层包括：

在形成了源漏电极线图形和像素电极图形的基板之上形成覆盖整个基板的绝缘材料层；

对绝缘材料层进行图案化得到所述第一绝缘层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对绝缘材料层进行图案化得到所述第一绝缘层包括：

利用掩膜板对绝缘材料层进行曝光显影；其中所述掩膜板包括对应于所述条状开口的透光区域图形。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成公共电极图形，包括：

在形成有源漏电极线图形、像素电极图形、第一绝缘层的基板上形成覆盖整个基板的公共电极材料；

对绝缘材料层进行图案化得到所述公共电极图形。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述条状开口分布在源漏电极线的两侧，所述延伸部分覆盖在各个条状开口邻近源漏电极线的长侧壁上，并与位于源漏电极线上方的主体部分连接形成半封闭结构。

10.如权利要求5-9任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

在基底上形成栅电极图形；

在所述栅电极图形和所述基底之上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层之上形成有源层；

在所述有源层之上形成源漏电极线图形和像素电极图形。