[发明专利]具有不同宽度的栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410406683.0 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN104835838B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 何伟硕;江宗育;张家铭;林俊铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属栅极结构 半导体器件结构 衬底 栅极结构 接触件 绝缘层 制造 自对准 邻近 | ||
1.一种半导体器件结构，包括：
衬底，所述衬底上具有鳍结构；
形成在所述衬底上方的第一金属栅极结构，其中，所述第一金属栅极结构具有第一宽度；
邻近所述第一金属栅极结构形成的第一接触件；
形成在所述衬底上方的第二金属栅极结构，其中，所述第二金属栅极结构具有小于所述第一宽度的第二宽度；
形成在所述第二金属栅极结构上方的绝缘层；以及
自对准到所述第二金属栅极结构的第二接触件，所述第二接触件横跨彼此相邻的两个鳍结构；
其中，所述绝缘层形成在所述第二金属栅极结构上但未形成在所述第一金属栅极结构上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第一宽度和所述第二宽度的比值在2到15的范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第一金属栅极结构具有第一高度，且第二窄金属栅极结构具有小于所述第一高度的第二高度。
4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述第一高度和所述第二高度的比值在4到10的范围内。
5.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，形成在所述第二窄金属栅极结构上方的所述绝缘层具有第三高度，且所述第二高度和所述第三高度之和等于所述第一高度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第二接触件的部分形成在所述绝缘层上。
7.一种半导体器件结构，包括：
衬底，所述衬底上具有鳍结构；
形成在所述衬底上方的第一金属栅极结构；
邻近所述第一金属栅极结构形成的第一接触件；
形成在所述衬底上方的第二金属栅极结构；
形成在所述第二金属栅极结构上方的绝缘层；以及
自对准到所述第二金属栅极结构的第二接触件，所述第二接触件横跨彼此相邻的两个鳍结构，
其中，所述第一金属栅极结构具有第一宽度和第一高度，且所述第二金属栅极结构具有第二宽度和小于所述第一高度的第二高度，且所述第一宽度和所述第二宽度的比值在2到15的范围内；
其中，所述绝缘层形成在所述第二金属栅极结构上但未形成在第一金属栅极结构上。
8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中，所述第一高度和所述第二高度的比值在4到10的范围内。
9.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中，形成在所述第二金属栅极结构上方的所述绝缘层具有第三高度，且所述第二高度和所述第三高度之和等于所述第一高度。
10.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中，所述第二接触件的部分形成在所述绝缘层上。
11.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：
在衬底上方的层间介电层(ILD)中形成第一金属栅极结构和第二金属栅极结构，所述衬底上具有鳍结构；
在所述第一金属栅极结构上形成掩膜结构并露出所述第二金属栅极结构的上表面；
蚀刻所述第二金属栅极结构的顶部以缩短所述第二金属栅极结构；
在所述第二金属栅极结构上形成绝缘层；以及
形成邻近所述第一金属栅极结构的第一接触件以及自对准到所述第二金属栅极结构的第二接触件，所述第二接触件横跨彼此相邻的两个鳍结构，
其中，所述第一金属栅极结构具有第一宽度且所述第二金属栅极结构具有小于所述第一宽度的第二宽度；
其中，所述绝缘层形成在所述第二金属栅极结构上但未形成在所述第一金属栅极结构上。
12.根据权利要求11所述的用于形成半导体器件结构的方法，进一步包括：
在所述第二金属栅极结构上形成绝缘层之前移除所述掩膜结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410406683.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
