[发明专利]一种四边无引脚封装件及其封装工艺、制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及无引脚封装的加工领域，具体涉及一种四边无引脚封装的封装工艺。 

背景技术

QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以它能提供卓越的电性能。此外，它还通过外露的引线框架焊盘提供了出色的散热性能，该焊盘具有直接散热通道，用于释放封装内的热量。通常将散热焊盘直接焊接在电路板上，并且PCB中的散热过孔有助于将多余的功耗扩散到铜接地板中，从而吸收多余的热量。 

无引脚封装的封装工艺有多种，如aQFN框架采用半蚀刻（half etching）工艺后，其框架正面排列着许多规则排列的圆柱状铜凸点（顶面半径在0.230mm左右，高度0.08mm），而aQFN框架背面是一整块铜合金层，在完成后段封裝之后，利用酸性或是碱性溶液对产品背面的铜合金引脚进行选择性蚀刻。MIS工艺采用QFN的双面蚀刻，但提前在背面刷上塑封料(compound),再进行封裝工艺。 MIS 工艺在金属基材上进行引线框的内引脚、外引脚及连接线的金属电镀及蚀刻，而后进行塑封料的预包封，使金属、塑封料等不同材质融入一体。 

但上述封装工艺均是逐片操作，加工速度较慢，且上述封装方法由于基本是先封装，然后再进行引脚的镀层处理，则在封装过程中，引脚容易受损或受到氧化，从而对后续生产及使用造成影响，即现有的封装工艺不仅生产效率低下而且不能很好的保护封装件。 

发明内容

本发明的目的在于提供的四边无引脚封装的封装工艺，能够提高生产效率，一次性加工两版产品，并且创新的蚀刻工艺能够避免四边无引脚的受损及氧化，大大提高产品使用寿命。 

为实现上述目的，本发明公开的技术方案是：一种四边无引脚封装件，包括基板基体，多个引脚内埋于基板基体并凸出于所述基板基体，基板基体上设有IC芯片、多个导线触片，每个引脚凸出于所述基板基体的一端设有阻焊层；所述IC芯片与所述基板基体之间设有阻焊层，所述IC芯片与多个导线触片之间通过键合线相连接；所述IC芯片、引脚设有阻焊层的一端、导线触片、键合线均封装于塑封体内；所述每个引脚的另一端上均电镀有镀镍层或镍球或镀金层或金球。 

优选的，所述镀镍层的厚度是0.1mm-0.3mm。 

本发明公开了一种四边无引脚封装件的封装工艺，取待封装的四边无引脚芯片结构，所述四边无引脚芯片结构包括基板基体，多个引脚内埋于基板基体并凸出于所述基板基体，基板基体上设有IC芯片、多个导线触片，每个引脚凸出于所述基板基体的一端设有阻焊层；所述IC芯片与所述基板基体之间设有阻焊层，所述IC芯片与多个导线触片之间通过键合线相连接；所述IC芯片、引脚设有阻焊层的一端、导线触片、键合线均封装于塑封体内；所述塑封体位于所述基板基体的一侧，所述基板基体的另一侧封闭有铜层；将所述基板基体上的铜层完全蚀刻，原本被铜层封闭的引脚裸露，在裸露的引脚上做电镀处理。 

优选的，所述电镀处理是指在裸露的引脚上电镀锡层或锡球或金层或金球。 

所述封装工艺中，优选的，利用含有硫酸、H₂O₂的混合溶液将基板基体上的铜层完全蚀刻。所述的将基板基体上的铜层完全蚀刻时，是采用含有H2SO4、H₂O₂ 、Cu²⁺   的混合溶液进行蚀刻，其中，混合溶液中H2SO4的含量范围是75g/L-125g/L，H₂O₂ 的含量范围是155g/L-205g/L，Cu²⁺  的含量范围是10g/L-75g/L。优选的，混合溶液中H₂SO₄的含量范围是80g/L-120g/L，H₂O₂ 的含量范围是160g/L-200g/L，Cu²⁺  的含量范围是15g/L-70g/L。 

本发明还公开了一种四边无引脚封装件的制作工艺，包括如下步骤： 

步骤a、制作基板基体：取一载板，在载板的两面分别压合铜层，将铜层均蚀刻变薄，在载板两面的铜层上分别电镀铜柱；待铜柱电镀结束后，在载板的两侧均层压基体，基体的外侧镀金属层，载板两面的铜柱均封装于相应的基体内；