[发明专利]扇出式封装结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明总体涉及半导体技术领域，更具体地，涉及扇出式封装结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如，个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通常在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体层的材料，然后使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件，从而制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿划线锯切集成电路从而分割单独的管芯。然后以例如多芯片模块或其他类型的封装将单个管芯分别进行封装。

半导体工业通过不断减小最小部件的尺寸以允许将更多的部件集成到给定的区域中，从而提高各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度。在一些应用中，这些较小的电子部件(比如集成电路管芯)可能也需要比过去的封装件占用更少面积的更小的封装件。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种结构，包括：管芯，具有位于表面上的焊盘；密封剂，至少横向地密封所述管芯，穿过所述密封剂露出所述焊盘；第一介电层，位于所述密封剂和所述管芯上方；第一导电图案，位于所述第一介电层上方；第二介电层，位于所述第一导电图案和所述第一介电层上方，所述第一介电层和所述第二介电层对于所述管芯的所述焊盘具有第一开口；以及第二导电图案，位于所述第二介电层上方和所述第一开口内，所述第二导电图案邻接所述第一开口内的所述第一介电层的侧壁和所述第一开口内的所述第二介电层的侧壁。

在上述结构中，其中，所述第一导电图案包括连接部，所述连接部具有第二开口，所述第二开口限定了所述第一介电层内的所述第一开口，所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案。

在上述结构中，其中，所述第一导电图案包括连接部，所述连接部具有第二开口，所述第二开口限定了所述第一介电层内的所述第一开口，所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案，所述连接部包括具有所述第二开口的环。

在上述结构中，其中，所述第一导电图案包括连接部，所述连接部具有第二开口，所述第二开口限定了所述第一介电层内的所述第一开口，所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案，所述连接部包括矩形、三角形、六边形、八边形或者它们的组合。

在上述结构中，其中，所述第一导电图案包括连接部，所述连接部具有第二开口，所述第二开口限定了所述第一介电层内的所述第一开口，所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案，所述连接部具有环绕所述第二开口的连续部。

在上述结构中，其中，所述第一导电图案包括连接部，所述连接部具有第二开口，所述第二开口限定了所述第一介电层内的所述第一开口，所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案，所述连接部具有围绕所述第二开口的非连续部。

在上述结构中，其中，所述第二导电图案包括晶种层和位于所述晶种层上方的主层。

在上述结构中，进一步包括：外部电连接件，位于所述第二导电图案上；以及支撑材料，位于所述第二介电层和所述第二导电图案上方并且围绕所述外部电连接件的至少一部分。

根据本发明的另一方面，提供了一种结构，包括：封装件，包括：管芯，包括焊盘；密封剂，围绕所述管芯，及电介质多层结构，位于所述管芯和所述密封剂上方，所述电介质多层结构包括位于所述电介质多层结构中的第一导电图案和位于所述电介质多层结构上的第二导电图案，通过所述电介质多层结构限定了到达所述焊盘的第一开口，所述第一导电图案的至少一部分限定了所述第一开口的至少一部分，所述第二导电图案的至少一部分位于所述第一开口内并且邻接所述电介质多层结构的侧壁，所述第一导电图案未沿着所述第一开口内的所述电介质多层结构的侧壁延伸；以及外部电连接件，位于所述封装件上。

根据上述结构，其中，所述第一导电图案包括连接部，所述连接部具有第二开口，所述第二开口限定了所述第一开口的至少一部分，所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案。

根据上述结构，其中，所述第一导电图案包括连接部，所述连接部具有第二开口，所述第二开口限定了所述第一开口的至少一部分，所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案，所述连接部包括具有所述第二开口的环。

根据上述结构，其中，所述第一导电图案包括连接部，所述连接部具有第二开口，所述第二开口限定了所述第一开口的至少一部分，所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案，所述连接部具有环绕所述第二开口的连续部。