[发明专利]功率模块用基板以及制造方法有效
| 申请号: | 201380067988.7 | 申请日: | 2013-12-20 | 
| 公开(公告)号: | CN104885214B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 | 
| 发明(设计)人: | 西元修司;长友义幸 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 | 
| 主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L23/40;H05K1/02 | 
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘层 金属层 功率模块 玻璃层 基底层 基板 电路层 制造 | ||
1.一种自带金属部件的功率模块用基板,具备绝缘层、形成于该绝缘层的第一面的电路层、形成于所述绝缘层的第二面的金属层及接合于所述金属层中的与配设有所述绝缘层的面相反侧的一面上的金属部件,其特征在于,
在所述金属层与所述金属部件之间,在所述金属层上形成有第一基底层,
在所述金属层与所述金属部件之间,在所述金属部件上形成有第三基底层,
所述第一基底层具有在与所述金属层的界面上形成的第一玻璃层以及层叠于该第一玻璃层的第一Ag层,
所述第三基底层具有在与所述金属部件的界面上形成的第三玻璃层以及层叠于该第三玻璃层的第三Ag层,
在所述第一基底层与所述第三基底层之间,形成有由金属的烧成体构成的接合层,
所述接合层为包含金属Ag粒子以及氧化Ag粒子中的至少一方或双方的接合材料的烧成体。
2.根据权利要求1所述的自带金属部件的功率模块用基板,其中,所述第一基底层为含有玻璃成分的含玻璃Ag浆料的烧成体。
3.根据权利要求1或2所述的自带金属部件的功率模块用基板,其中,在所述第一Ag层分散有玻璃,且露出于所述第一基底层表面的所述玻璃的面积比率被设定为55%以下。
4.根据权利要求1或2所述的自带金属部件的功率模块用基板,其中,在所述电路层中与配设有所述绝缘层的面相反侧的一面上,形成有第二基底层,
所述第二基底层具有在与所述电路层的界面上形成的第二玻璃层以及层叠于该第二玻璃层的第二Ag层。
5.根据权利要求1或2所述的自带金属部件的功率模块用基板,其中,所述绝缘层为选自AlN、Si3N4或Al2O3的陶瓷基板。
6.一种自带金属部件的功率模块,具备权利要求1所述的自带金属部件的功率模块用基板以及搭载于该自带金属部件的功率模块用基板的电路层一侧的半导体元件。
7.一种自带金属部件的功率模块用基板的制造方法,所述自带金属部件的功率模块用基板具备在绝缘层的第一面形成有电路层、在所述绝缘层的第二面形成有金属层的功率模块用基板以及接合于所述金属层中的与配设有所述绝缘层的面相反侧的一面上的金属部件,其特征在于,具备如下工序:
通过在所述金属层中的与配设有所述绝缘层的面相反侧的一面上,涂布含有玻璃成分的含玻璃Ag浆料并进行加热处理,从而形成与接合层接合的第一基底层,所述接合层由包含金属粒子以及氧化金属粒子中的至少一方或双方的接合材料的烧成体构成;
在所述金属部件上,涂布含有玻璃成分的含玻璃Ag浆料并进行加热处理,从而形成与所述接合层接合的第三基底层,
在所述第一基底层的表面,涂布包含金属Ag粒子以及氧化Ag粒子中的至少一方或双方的接合材料;
向所涂布的接合材料层叠形成了所述第三基底层的所述金属部件;以及
在层叠有所述功率模块用基板与所述金属部件的状态下进行加热,从而形成接合所述第一基底层与所述第三基底层的接合层。
8.根据权利要求7所述的自带金属部件的功率模块用基板的制造方法,其中,在形成所述接合层的工序中的所述接合材料的烧成温度为150℃以上400℃以下。
9.根据权利要求7所述的自带金属部件的功率模块用基板的制造方法,其中,在形成所述第一基底层的工序中的所述含玻璃Ag浆料的烧成温度为350℃以上645℃以下。
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