[实用新型]容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及存储设备，尤其涉及容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器。 

【背景技术】

目前，很多印刷电路板（PCB）上都需要装有NAND FLASH存储芯片，由于每一NAND FLASH存储芯片的容量有限，如果在某一应用是要使用很大的NANDFLASH存储空间，那么就要扩充印刷电路板的面积，然后在上面贴置多个NANDFLASH存储芯片。 

由于在一些特定场所，对某些使用印刷电路板的设备所占用的平面空间有一定的限制，可能就需要降低印刷电路板的平面面积；这样的话，相对较难地扩充NAND FLASH印刷电路板（PCB）上的存储空间。 

【实用新型内容】

本实用新型要解决的技术问题是提供容量为8G×8bit的立体封装NANDFLASH存储器，其能相对降低占用印刷电路板的平面空间。 

上述技术问题通过以下技术方案实现： 

容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括两个4G×8bit的NAND FLASH复合芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和两个芯片层；引线框架层上设有用于对外连接的引脚，两个NAND FLASH复合芯片分别一一对应地设于两个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和两个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和两个芯片层上露出的电气连接引脚进行对应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。 

两个NAND FLASH复合芯片的数据线、#RE读信号线、#WE写信号线、#WP写 保护信号、ALE地址锁存信号、CLE命令使能信号分别对应复合；两个NAND FLASH复合芯片的片选信号均并置。 

每个4G×8bit的NAND FLASH复合芯片由两个NAND FLASH原料芯片构成，所述NAND FLASH原料芯片均采用存储容量为2Gb、数据总线宽度为8位、48个引脚的封装NAND FLASH芯片。 

由两个4G×8bit的NAND FLASH复合芯片之间连接成容量为8G×8bit的NAND FLASH存储器的技术可以采用本技术领域人员通常掌握的技术，本实用新型的首要创造点是利用两个芯片层来置放NAND FLASH芯片，然后通过堆叠、灌封、切割后在外表面设置镀金连接线以将置芯片的两个芯片层和一个引线框架层的引脚接线连接成一个立体封装NAND FLASH存储器。可见，本实用新型通立体封装方式避免在一个芯片层上进行并置所有NAND FLASH芯片，减少了占用印刷电路板的平面空间，从而减少了印刷电路板的平面空间，尤其适合应用于航空、航天领域。本实用新型进一步具体了本申请设计的两个4G×8bit的NANDFLASH复合芯片之间的连接关系。 

【附图说明】

图1为实施例一的本实用新型的截面图； 

图2为实施例一的本实用新型的内部结构示意图。 

【具体实施方式】

实施例一 

如图1和图2所示，本实施例提供的一种立体封装NAND FLASH存储器，包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和两个芯片层：一设有用于对外连接的引脚11的引线框架层1，一贴装有NAND FLASH复合芯片21的第一芯片层2，一贴装有NAND FLASH复合芯片31的第二芯片层3；堆叠的一个引线框架层和两个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将引线框架层和芯片层上露出的电气连接引脚进行对应连接 以形成一个存储容量达64Gb、数据总线宽度达8位、引脚封装为TSOP-48（48个引脚）封装的立体封装NAND FLASH存储器，引线框架层1的引脚11作为立体封装NAND FLASH存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。 

如图2所示，NAND FLASH复合芯片21、31的参数包括存储容量为4Gb、数据总线宽度为8位，每个4G×8bit的NAND FLASH复合芯片由两个2Gb×8bit的NAND FLASH原料芯片构成，NAND FLASH原料芯片均采用存储容量为2Gb、数据总线宽度为8位、48个引脚的封装NAND FLASH芯片。 

其中，两个NAND FLASH复合芯片的数据线、#RE读信号线、#WE写信号线、#WP写保护信号、ALE地址锁存信号、CLE命令使能信号分别对应复合；两个NANDFLASH复合芯片的片选信号均并置。