[实用新型]容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

权利要求书

1.容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括两个4G×8bit的NAND FLASH复合芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和两个芯片层；引线框架层上设有用于对外连接的引脚，两个NAND FLASH复合芯片分别一一对应地设于两个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和两个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和两个芯片层上露出的电气连接引脚进行对应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。

2.根据权利要求1所述的容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，两个NAND FLASH复合芯片的数据线、#RE读信号线、#WE写信号线、#WP写保护信号、ALE地址锁存信号、CLE命令使能信号分别对应复合；两个NAND FLASH复合芯片的片选信号均并置。

3.根据权利要求1或2所述的容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，每个4G×8bit的NAND FLASH复合芯片由两个NAND FLASH原料芯片构成，所述NAND FLASH原料芯片均采用存储容量为2Gb、数据总线宽度为8位、48个引脚的封装NAND FLASH芯片。