[实用新型]一种八层堆叠式芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体内存封装技术领域，具体涉及一种八层堆叠式芯片封装结构。

背景技术

现有封装产品中一般为1～4层芯片，芯片比较厚，封装芯片层数较低，芯片容量小，而对于4层芯片以上的封装结构，由于封装工艺能力的限制，存在较多问题，如芯片研磨技术、金线键合分段式技术需要特殊控制，才能达到多层封装结构制造工艺的要求。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种八层堆叠式芯片封装结构。

为实现上述实用新型目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种八层堆叠式芯片封装结构，其特征在于，包括：

一基板，具有相对的一顶面和一底面；

八个芯片，堆叠配置于所述基板的顶面上，其中二个芯片为一组，四组芯片呈交叉梯子形堆叠；

多根导线，电性连接于芯片和芯片之间和芯片和基板之间；

封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。

进一步的，所述八个芯片由下往上依次为第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片、第七芯片、第八芯片；其中，第八芯片通过打线结合技术电性连接至第七芯片；第七芯片通过打线结合技术电性连接至基板；第六芯片通过打线结合技术电性连接至第五芯片；第五芯片通过打线结合技术电性连接至基板；第四芯片通过打线结合技术电性连接至第三芯片；第三芯片通过打线结合技术电性连接至基板；第二芯片通过打线结合技术电性连接至第一芯片；第一芯片通过打线结合技术电性连接至基板。

进一步的，所述第一芯片和第五芯片的厚度为75um，所述第二芯片、第三芯片、第四芯片、第六芯片、第七芯片和第八芯片的厚度为55um。

进一步的，所述芯片与芯片、芯片与基板用胶带粘接，胶带厚度为10um。

进一步的，所述基板的该底面配置多个用于焊接于PCB板的锡球。

如上所述的八层堆叠式芯片封装结构的制造工艺，包括如下步骤：

步骤1芯片研磨与切割：使用细金刚石颗粒的研磨轮，并配合低主轴转数和进给速度，调低传送设备各部件的真空和吹气压力，研磨第二芯片、第三芯片、第四芯片、第六芯片、第七芯片和第八芯片的厚度为55um；研磨第一芯片和第五芯片的厚度为75um；并将整个晶圆切割成单个的独立的小芯片；

由于芯片薄，需要慢磨和精磨，低转数情况下，不断循序渐进的过程保证芯片不会破碎。

步骤2贴片：使用10um厚的胶带把芯片与芯片、芯片和基板粘贴在一起，工艺参数为吸着力道大于70Kpa，焊接力为10N，每两层芯片进行一次温度为145～155℃、时间为30～60分钟的烘烤，以保证芯片与胶带之间的粘合力；

步骤3金线键合：通过金线健合的方式来连接芯片与芯片，芯片与基板的之间电路；工艺参数为采用两段的焊线压力输出：较小的初始压力为15-15g，以防止焊针接触芯片表面时晃动而破坏芯片，待芯片晃动趋于稳定后，再施加稍大的压力为20～30g，以帮助焊接金线的结合性；

步骤4塑封：将芯片，金线，胶带，基板的上面用树脂包封在塑封体内，在塑封合膜时，需要抽真空，合膜压力为35～50t；合膜后，进行160～180℃、5小时的高温烘烤，可以强化树脂的结合引导气体顺利排出整个腔体；

步骤5植球：植入锡球在基板的底部，以便元件可以顺利的焊接到PCB线路版上；

步骤6切割：每一条基板根据不同产品的尺寸，包含了几十粒大到几百粒个芯片，通过切割工序，形成若干个独立元器件，以便客户端使用。