[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201310726397.8 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104425432A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 本间庄一;志摩真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
具有电极衬垫的半导体芯片；
第1绝缘树脂层，其以使上述半导体芯片的具有上述电极衬垫的面的至少一部分露出的方式，将上述半导体芯片埋入；
第2绝缘树脂层，其设置在上述半导体芯片及上述第1绝缘树脂层上，具有使上述电极衬垫的至少一部分露出的第1开口部；
布线层，其具有连接衬垫，以在上述第1开口部中与上述电极衬垫电连接的方式，设置在上述第2绝缘树脂层上；
第3绝缘树脂层，其设置在上述第2绝缘树脂层及上述布线层上，具有使上述连接衬垫的一部分露出的第2开口部和覆盖上述连接衬垫的周缘的被覆部；以及
外部连接端子，其在上述第2开口部中与上述连接衬垫电连接；
上述被覆部的宽度为上述连接衬垫的直径的2.5%以上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述外部连接端子具有：
在上述第2开口部中在上述连接衬垫上设置的基底金属层；和
在上述基底金属层上设置的金属凸起，
上述基底金属层的直径比上述连接衬垫的直径小。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
在与上述半导体芯片垂直的方向上，上述连接衬垫与上述电极衬垫不重叠。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第3绝缘树脂层的热膨胀系数为25ppm以上且300ppm以下，
上述布线层的热膨胀系数为4ppm以上且25ppm以下。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1绝缘树脂层、上述第2绝缘树脂层及上述第3绝缘树脂层的弹性模量为0.03GPa以上且5GPa以下。
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