[发明专利]用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器

说明书

技术领域

实施例关于集成电路（IC）的封装。一些实施例涉及减少IC封装的翘曲。

背景

存在对增加集成电路（IC）的功能和在更小的封装中提供这些越来越复杂的IC的持续需求。然而，使用这些IC的电子系统的制造可包括将经封装的IC暴露至环境压力。例如，电子系统的制造可包含组装经封装的IC和将经封装的IC结合到电子系统组件中的多个热循环。随着IC的封装的厚度减小，环境压力的不利影响可成为制造问题的主因。这些不利影响可包括可致使经封装的IC不能使用的变得畸形的经封装的IC。因此，存在对提供对环境影响更具鲁棒性的经封装的集成电路的系统和方法的一般需求。

附图简述

图1为用于最小化超薄IC封装的产品的翘曲的设备的示例的部分图示；

图2为用于最小化超薄IC封装的产品的翘曲的另一设备的示例的部分图示；

图3为超薄电子器件的另一示例的部分图示；以及

图4示出了形成超薄IC封装的方法的示例的流程图。

详细描述

以下描述和附图充分地示出了具体实施例以使本领域技术人员能够实现它们。其他实施例可包含结构、逻辑、电气、工艺和其他变化。一些实施例的部分和特征可被包括在其他实施例的部分和特征中，或替代其他实施例的部分和特征。权利要求中所陈述的实施例包含那些权利要求的所有可用等效方案。

如本文前面所解释的，IC封装的尺寸和厚度继续减少。这已经导致一些表面贴装的IC封装被称为超薄或低Z的以表示小Z尺寸。超薄封装可指约500微米（μm）或以下的封装高度。用于形成超薄封装的一种方法为无芯封装。在传统IC封装中，IC被安装在诸如基底之类的芯材料上。然后，在芯上建立附加的层以将IC连接分配到封装互连。相反，无芯封装不具有芯。替代地，仅建立层被用于产生无芯基底。这减少了基底和经封装的IC的高度尺寸。

基底的薄度可导致可能易弯曲的封装。经封装的IC的制造可包含多个热循环步骤。例如，基底可被加热以将焊料隆起焊盘（例如，倒装芯片或C4焊料隆起焊盘）添加到基底。基底可再次被一次或多次加热以用于管芯布置和焊料回流。如果环氧树脂被用于组装工艺中，则可添加另一循环。又一热循环可用于将经封装的IC结合到电子系统组件中。这些多个热循环可导致基底和经封装的IC中的一个或两个翘曲。

图1为用于最小化超薄IC封装产品的翘曲的设备100的示例的部分图示。设备100包括安装在封装基底110上的IC105。在一些示例中，设备可包括安装在封装基底110上的一个以上IC，诸如中央处理单元（CPU）和一个或多个存储器件IC。例如，封装基底110可以为超薄封装基底或低Z封装基底，诸如无芯封装基底。设备100还包括电容式加强件子组件115。

电容式加强件子组件115包括电连接至IC105的触点的多个电容性元件。到封装基底110的子组件的附连或安装使得组装的封装基底对翘曲更有抵抗力。电容元件120可包括在电连接至IC的触点的滤波电路。因此，子组件的电容性元件可代替通常用于过滤噪声的任何表面贴装电容器。

例如，电容性元件可嵌入到具有绝缘性能的材料中，诸如陶瓷材料或聚合物材料。诸如不锈钢之类的非绝缘材料可被用于加强基底，但这可能会使包括在加强件中的电容性元件复杂化。例如，电容性元件可能需要以电绝缘材料涂覆。并且，由于电容性元件被包括在加强件中，因此在一个步骤中添加加强件和电容器，而不是在多个步骤中添加加强件（例如，单片钢加强件）和放置以及回流表面贴装电容器。这本质上减少了热循环的数量，在制造期间封装被暴露于热循环。

在图1所示的示例中，电容式加强件子组件115大体上围绕封装基底110的周界设置，并且IC安装在电容式加强件子组件115的中间。电容式加强件子组件115可从封装基底110的周界稍向内设置，并且仍为封装基底110提供支撑或加强。示例还示出了单片子组件，但如果需要的话，电容式加强件子组件115可包括一个或多个缝隙。所示示例中的IC封装可被用于封装处理器、数字信号处理器（DSP）、专用集成电路（ASIC）或SOC。图1的示例还示出了一个或多个IC可被安装在封装基底110的顶侧并且电容式加强件子组件115也安装在封装基底110的顶侧，但可使用其他布置。