[发明专利]用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器

权利要求书

1.一种装置，包括：

集成电路（IC），所述集成电路（IC）安装在IC封装基底上；

电容性加强件子组件，所述电容性加强件子组件安装在IC封装基底上，其中所述电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述IC封装基底是无芯的，并且其中所述电容性加强件子组件大体上围绕IC封装基底的周界设置。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容性加强件子组件是单片的并且包括嵌入在陶瓷材料中的多个陶瓷元件。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容性加强件子组件是单片的并且包括嵌入在聚合物材料中的多个陶瓷元件。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述IC安装在所述封装基底的第一侧上并且所述电容性加强件子组件也安装在所述IC封装基底的第一侧上。

6.如权利要求1所述的装置，包括：

IC，所述IC安装在IC封装基底的第一侧上；以及

焊料隆起焊盘，所述焊料隆起焊盘设置在所述IC封装基底的第二侧上，以及其中电容性加强件安装在所述IC封装基底的第二侧上。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，

其中所述焊料隆起焊盘被包括在球栅阵列电触点、平面网格阵列电触点或引脚网格阵列电触点中的至少一个中，以及

其中所述电容性加强件子组件的高度低于球栅阵列电触点、平面网格阵列电触点或引脚网格阵列电触点中的至少一个的高度。

8.如权利要求1-6中任一项所述的装置，其特征在于，电容性元件被包括在电连接至所述IC的触点的滤波电路中。

9.如权利要求1所述的装置，包括：

IC，所述IC安装在IC封装基底的第一侧上；以及

电子部件，所述电子部件安装在所述IC封装基底的第二侧上，以及其中所述电容性加强件子组件安装在所述IC封装基底的第二侧上。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述电子部件包括电感器，以及所述IC包括射频集成电路（RFIC）。

11.如权利要求1-6中任一项所述的装置，其特征在于，所述IC包括中央处理单元。

12.一种方法，包括：

将集成电路（IC）设置在IC封装基底上；

将电容性加强件子组件设置在所述IC封装基底上，以及

回流形成于所述封装基底上的焊料触点以将所述IC和电容性加强件子组件安装在所述封装基底上。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，将所述IC和所述电容性加强件子组件设置在所述IC封装基底上包括：

大体上围绕所述封装基底的周界设置所述电容性加强件子组件；以及

将所述IC定位在所述电容性加强件子组件的中间。

14.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述IC封装基底包括所述IC封装基底的底侧上的球栅阵列电触点、平面网格阵列电触点或引脚网格阵列电触点中的至少一个，其中安装IC包括将所述IC安装到所述IC封装基底的顶侧，以及其中安装所述电容性加强件子组件包括将所述电容性加强件子组件安装到所述IC封装基底的底侧上。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述安装所述电容性加强件子组件包括：大体上围绕所述IC封装基底的周界设置所述电容性加强件子组件，并且将球栅阵列电触点、平面网格阵列电触点或引脚网格阵列电触点大体上设置在所述电容性加强件子组件的中间。

16.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于，包括将悬置电感器安装至所述IC封装基底，以及其中回流所述焊料触点包括回流所述焊料触点以将所述悬置电感器安装至所述IC封装基底。