[发明专利]封装用键合丝及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及封装领域，具体而言，涉及封装用键合丝及其制备方法。

背景技术

在传统的封装焊接工艺中，常用金含量99.99%以上的纯金线将晶片与导线架焊接，因为黄金的价格逐年攀高，封装金线的成本占比就越来越高，所以目前多采用银合金线、纯银线甚至铜线来取代传统金线。

然而银合金线或者银线在使用过程中自身易被氧化或者被硫化，且在高温高湿的环境下会发生银离子漂移的问题；铜线也因易被氧化，直接造成产品合格率下降。

发明内容

本发明的目的在于提供封装用键合丝及其制备方法，以解决上述的问题。

本发明实施例中提供了一种封装用键合丝，包括中心母线，所述中心母线的外表面镀有钯膜。

本发明实施例中还提供了一种封装用键合丝的制备方法，包括：

A.制备中心母线；

B.采用真空镀的方式，在所述中心母线的外表面镀有钯膜；

C.将镀有所述钯膜的所述中心母线进行多次拉伸；

D.清洗；

E.退火得成品。

本发明实施例提供的封装用键合丝及其制备方法，与现有技术中相比，将中心母线的外表面镀上钯膜后，钯膜能够有效减缓中心母线的氧化，当中心母线中包含银时，能够改善银漂移问题，且镀钯膜方式简单，易操作。

附图说明

图1为本发明实施例1中封装用键合丝的结构示意图；

图2为本发明实施例2中封装用键合丝的结构示意图；

图3为本发明实施例3中封装用键合丝的结构示意图；

图4为本发明实施例4中封装用键合丝的结构示意图；

图5为本发明实施例5中封装用键合丝的结构示意图；

图6为本发明对实施例4中中心母线的银漂移测试图；

图7为本发明对实施例4中封装用键合丝的银漂移测试图。

具体实施方式

下面通过具体的实施例子并结合附图对本发明做进一步的详细描述。

本发明实施例中提供了一种封装用键合丝，包括中心母线，中心母线的外表面镀有钯膜。

本发明实施例中还提供了一种封装用键合丝的制备方法，包括：

A.制备中心母线；

B.采用真空镀的方式，在中心母线的外表面镀有钯膜；

C.将镀有钯膜的中心母线进行多次拉伸；

D.清洗；

E.退火得成品。

将中心母线的外表面镀上钯膜后，钯膜能够有效减缓中心母线的氧化，当中心母线中包含银时，能够改善银漂移问题，且镀钯膜方式简单，易操作。

下面，通过一些具体实施例来详细描述该封装用键合丝：

一种封装用键合丝，包括中心母线，中心母线的外表面镀有钯膜，钯膜能够减缓氧化，且当中心母线中含有银的时候，钯膜能够改善银漂移问题，且电阻率较纯金线相当，电阻率小于3×10^-8ΩM。

在钯膜的上面还镀有金膜，镀钯后再镀金能够进一步减缓氧化，硫化的发生速度，并改善银漂移，提高封装用键合丝的实用性。

钯膜的厚度为0.01-0.3微米；金膜的厚度为0.01-0.3微米。原则上，厚度越薄，成本越低。但是也不能够小于0.01微米，因为小于0.01微米后实际使用时抗氧化效果及防范阴离子漂移效果不好。

中心母线的横截面直径为80-200微米。具体数值，在不同的实施例中可以选取不同的值，只要便于后续拉伸至不同直径的成品即可。

中心母线包括以下任一种：金银合金线、铜线；相对传统的金线相比，本发明采用金银合金线能够大幅降低成本，铜线也能够降低成本，且能够直接避免银漂移。

当中心母线包括金银合金时，制备金银合金的金的纯度大于99.99%，银的纯度大于99.99，银的质量百分比含量为80-99.99wt%，金的质量百分比含量为19.99-0.00wt%，金和银的质量百分比之和为99.99%，所含的铋的含量小于30ppm，总杂质含量低于100ppm；控制金、银的纯度，控制杂质含量能够减缓氧化，适当调整金、银的配比，能够制备与传统的封装用键合丝性能相似的金银合金键合丝。

当中心母线包括铜线时，制备铜线的铜为纯度大于99.99%的单晶无氧铜，提高产率，减缓氧化效果。

如下为五个具体实施例：

实施例1：

如图1，中心母线为银线201；镀有钯膜101，膜厚为0.05微米，键合丝的横截面直径为150微米。

实施例2：