[发明专利]粘接剂组合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种粘接剂组合物，其为在半导体芯片以及配线电路基板的各自的连接部相互地电连接的半导体装置、或多个半导体芯片的各自的连接部相互地电连接的半导体装置中将所述连接部密封的粘接剂组合物，

其含有环氧树脂、固化剂、由具有下述通式(1)所示的基团的化合物进行了表面处理的丙烯酸系表面处理填料以及重均分子量为10000以上的高分子成分，

式(1)中，R¹表示氢原子或碳原子数1或2的烷基，R²表示碳原子数1～30的亚烷基。

2.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，所述化合物为由下述通式(2)表示的化合物，

式(2)中，R¹表示氢原子或碳原子数1或2的烷基，R²表示碳原子数1～30的亚烷基，R³表示碳原子数1～30的烷基。

3.一种粘接剂组合物，其为在半导体芯片以及配线电路基板的各自的连接部相互地电连接的半导体装置、或多个半导体芯片的各自的连接部相互地电连接的半导体装置中将所述连接部密封的粘接剂组合物，

其含有环氧树脂、固化剂、具有下述通式(1)所示的基团的填料以及重均分子量为10000以上的高分子成分，

式(1)中，R¹表示氢原子或碳原子数1或2的烷基，R²表示碳原子数1～30的亚烷基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘接剂组合物，其中，所述高分子成分的重均分子量为30000以上，玻璃化温度为100℃以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘接剂组合物，其形状为膜状。

6.一种半导体装置的制造方法，其为半导体芯片以及配线电路基板的各自的连接部相互地电连接的半导体装置、或多个半导体芯片的各自的连接部相互地电连接的半导体装置的制造方法，

其具备使用权利要求1～5中任一项所述的粘接剂组合物将所述连接部密封的工序。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述连接部含有选自金、银、铜、镍、锡以及铅中的至少一种金属作为主要成分。