[发明专利]制造半导体晶圆的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造半导体晶圆的方法。

背景技术

在半导体器件的制造中，为了能够使其大量生产，不断增加晶圆的直径，甚至已出现具有300mm或更大直径的巨大直径晶圆。通过执行如下的一系列步骤来提高生产率：使这种大直径晶圆依次经历诸如抛光、清洗、干燥、CVD、曝光、显影以及蚀刻等必要加工，最后将该大直径晶圆切成单片。全部地执行这一系列步骤需要数千亿日元规模的大规模生产设备。

然而，在近年来，也越来越需要用于各种用途的少量的各种半导体设备。上述大规模生产设备不适用于各种半导体设备的有限生产的这种情形。

因此，最近，已提出了迷你（注册商标）工厂构思，这种构思是指在具有约半英寸（形成一个半导体芯片的大致尺寸）直径的小晶圆上进行必要的加工处理。根据这种迷你工厂构思，为各步骤提供诸如抛光设备、CVD设备等小加工设备以使这些加工设备根据需要以适当组合的方式使用，从而能够处理各种晶圆。由于每一种设备可以是小型的，因此可以降低设备的投资费用。

在上述迷你工厂构思中，在可预见的未来没有打算直接生产具有约半英寸直径的小直径单晶硅，而是仍然从目前的大直径硅晶圆中切出半英寸尺寸的小直径硅晶圆。

另外，现有的专利文献1已经公开了从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：日本特开2005-33190号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1描述了，例如：从具有等于4英寸或大于4英寸的直径的大直径晶圆中切出3个或更多具有等于2英寸或大于2英寸的直径的小直径晶圆；从具有等于5英寸或大于5英寸的直径的大直径晶圆中切出4个或更多具有等于2英寸或大于2英寸的直径的小直径晶圆；以及从具有等于6英寸或大于6英寸的直径的大直径晶圆中切出7个或更多具有等于2英寸或大于2英寸的直径的小直径晶圆。此外，专利文献1描述了利用激光束等进行这种切出，另外，通过该切出还同时设置了定向平面（orientation flat）。

另外，用于迷你工厂构思的晶圆尺寸是如上所述地约半英寸的小直径。在这种小直径晶圆中，如果定向平面或缺口（notch）通过切出设置在晶圆外周，则存在如下问题：在后续的倒角（beveling）步骤中定向平面部或缺口部不能被良好地倒角。

为了解决上述问题作出了本发明。本发明的目的是提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有助于形成定向平面线同时还允许没有问题的倒角。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明包括如下构造。

也就是，根据本发明的制造半导体晶圆的方法是：一种制造半导体晶圆的方法，在该方法中从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆，所述方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过所述大直径半导体晶圆的每一行中的各个所述小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，所述小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在所述标记步骤之后通过激光束从所述大直径半导体晶圆中个别地切出所述小直径晶圆。

所述方法包括研磨步骤，所述研磨步骤研磨所述大直径半导体晶圆以使其具有所需的厚度，其中在所述研磨步骤之后进行所述标记步骤和随后的步骤。

此外，优选地，所述直槽状定向平面线形成为使得所述直槽状定向平面线的两端到达待切出的所述小直径晶圆的边缘。

优选地，基于所述大直径半导体晶圆的定向平面或缺口确定所述直槽状定向平面线的位置。

此外，切出半英寸尺寸的所述小直径晶圆。

此外，该方法进一步包括：外径精加工步骤，精加工切出的所述小直径晶圆以使其具有所需的外径；倒角步骤，将所述小直径晶圆的外周倒角成预定形状；蚀刻步骤，蚀刻倒角过的所述小直径晶圆；镜面倒角步骤，使用精加工用磨石对倒角过的所述小直径晶圆的倒角部进行镜面加工；抛光步骤，对镜面倒角过的所述小直径晶圆进行镜面加工；以及精密清洗步骤，清洗通过抛光污染的所述小直径晶圆。

优选地，使用倒角设备并采用同一磨石同时进行所述外径精加工步骤和所述倒角步骤。

发明的效果

本发明有助于小直径晶圆中定向平面线的形成，同时因为在晶圆表面上已设置了定向平面线，所以还允许没有问题地进行倒角作业。

附图说明