[发明专利]集成电路布局以及具有双重图案的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及集成电路布局以及具有双重图案结构的方法。

背景技术

半导体技术不断地发展至更小的部件尺寸，例如低至28纳米、20纳米以及更低的部件尺寸。各种具有小部件尺寸的集成电路（IC）部件通过各种技术形成在半导体晶圆上。例如，双重图案用于形成具有小间距的多个部件。然而，并没有通过双重图案制造不规则图案的有效方法。

因此，需要一种方法和光掩模结构以提供用于解决上述问题的先进的IC技术的有效IC设计和制造。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种用于集成电路（IC）的方法，包括：

通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；

在所述心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；

去除所述心轴图案；

在所述第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；

去除所述第一间隔件图案；以及

将所述第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻所述衬底。

在可选实施例中，所述方法还包括：通过第二光刻工艺在所述第二间隔件图案上形成切割图案；以及，在蚀刻所述衬底之前，去除所述切割图案的开口内的所述第二间隔件图案的部分。

在可选实施例中，蚀刻所述衬底包括：在所述衬底中形成沟槽图案，并且所述沟槽图案包括具有可变节距的多个岛状部件。

在可选实施例中，所述心轴图案包括多个第一部件，所述多个第一部件具有第一宽度L并且以第一间距S间隔开；所述第一间隔件图案包括多个第二部件，每个所述第二部件均具有第二宽度b；所述第二间隔件图案包括多个第三部件，每个所述第三部件均具有第三宽度c；以及，所述可变节距由参数L、S、b和c共同确定。

在可选实施例中，所述沟槽图案中的所述多个岛状部件包括彼此不同的第一节距P1和第二节距P2。

在可选实施例中，P1等于b和c的和；以及，P2等于L-c。

在可选实施例中，所述可变节距由参数L、S、b和c共同确定包括：根据P2=L-c确定L和c；以及，根据P1=b+c确定b。

在可选实施例中，所述方法还包括：根据S=L-2c确定S。

在可选实施例中，所述岛状部件还包括第三节距P3，并且根据S=P3-c来确定第一间距S。

在可选实施例中，所述心轴图案的形成包括：在所述衬底上沉积心轴材料层；以及，通过进一步包括以下步骤的工序来图案化所述心轴材料层：在所述心轴材料层上涂布光刻胶层；使用限定具有所述第一间距S和所述第一宽度L的所述心轴图案的掩模对所述光刻胶层执行曝光工艺；显影所述光刻胶层以形成具有开口的光刻胶图案；以及，穿过所述光刻胶图案的开口蚀刻所述心轴材料层，从而形成所述心轴图案。

在可选实施例中，在所述心轴图案的侧壁上形成所述第一间隔件图案包括：在所述衬底和所述心轴图案上沉积具有等于b的第一厚度的第一间隔件材料层；以及，对所述第一间隔件材料层执行第一各向异性蚀刻，从而形成所述第一间隔件图案。

在可选实施例中，在所述第一间隔件图案的侧壁上形成所述第二间隔件图案包括：在所述衬底和所述第一间隔件图案上沉积具有等于c的第二厚度的第二间隔件材料层；以及，对所述第二间隔件材料层执行第二各向异性蚀刻，从而形成所述第二间隔件图案。

在可选实施例中，所述心轴图案中的所述第一部件包括第一间距S1和大于S1的第二间距S2；以及，将所述第二宽度b确定为小于S2/2并且至少等于S1/2，从而使得具有所述第一间距的邻近的两个所述第二部件合并在一起。

在可选实施例中，去除所述切割图案的开口内的所述第二间隔件图案的部分包括去除邻近的两个所述第二部件。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种用于集成电路（IC）的方法，包括：

接收具有多个部件的IC布局；

确定所述多个部件中的节距；

基于所述部件中的所述节距来确定掩模参数和工艺参数；以及

根据所述掩模参数来制造掩模。

在可选实施例中，所述方法还包括：根据所述工艺参数并且使用所述掩模来制造晶圆。

在可选实施例中，所述掩模参数包括在所述部件中限定的宽度L和间距S；以及，所述工艺参数包括将要沉积在所述晶圆上的第一间隔件材料层的第一厚度b以及将要沉积在所述晶圆上的第二间隔件材料层的第二厚度c。