[发明专利]集成电路布局以及具有双重图案的方法

权利要求书

1.一种用于集成电路（IC）的方法，包括：

通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；

在所述心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；

去除所述心轴图案；

在所述第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；

去除所述第一间隔件图案；以及

将所述第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻所述衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过第二光刻工艺在所述第二间隔件图案上形成切割图案；以及

在蚀刻所述衬底之前，去除所述切割图案的开口内的所述第二间隔件图案的部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，蚀刻所述衬底包括：在所述衬底中形成沟槽图案，并且所述沟槽图案包括具有可变节距的多个岛状部件。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述心轴图案包括多个第一部件，所述多个第一部件具有第一宽度L并且以第一间距S间隔开；

所述第一间隔件图案包括多个第二部件，每个所述第二部件均具有第二宽度b；

所述第二间隔件图案包括多个第三部件，每个所述第三部件均具有第三宽度c；以及

所述可变节距由参数L、S、b和c共同确定。

5.一种用于集成电路（IC）的方法，包括：

接收具有多个部件的IC布局；

确定所述多个部件中的节距；

基于所述部件中的所述节距来确定掩模参数和工艺参数；以及

根据所述掩模参数来制造掩模。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：根据所述工艺参数并且使用所述掩模来制造晶圆。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述掩模参数包括在所述部件中限定的宽度L和间距S；以及

所述工艺参数包括将要沉积在所述晶圆上的第一间隔件材料层的第一厚度b以及将要沉积在所述晶圆上的第二间隔件材料层的第二厚度c。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述晶圆的制造包括：

沉积具有所述第一厚度b的所述第一间隔件材料层；以及

对所述第一间隔件材料层进行第一各向异性蚀刻，从而形成第一间隔件图案。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述晶圆的制造包括：

沉积具有所述第二厚度c的所述第二间隔件材料层；以及

对所述第二间隔件材料层进行第二各向异性蚀刻，从而形成第二间隔件图案。

10.一种用于集成电路（IC）的方法，包括：

接收具有多个部件的IC布局，所述多个部件具有彼此不同的第一节距P1和第二节距P2；

根据P2=L-c确定第一工艺参数c，其中L为所述部件的第一宽度；以及

根据P1=b+c确定第二工艺参数b。